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Memórias, Memória principal, Memória cache, Memória do computador, Memória…

- - - - Bits armazenados com carga em capacitores
      - As cargas vazam, e é necessário renovação
      - Construção mais simples
      - Menor por bit
      - Analógica
      - Mais barata, porém mais lenta
      - DRAM síncrona (SDRAM)
        
        Troca dados com o processador, sincronizado com um sinal de clock externo e executando na velocidade plena do barramento do processador/memória, sem imposição de estados de espera
        
        Sob o controle do clock do sistema
        
        Double-Data-Rate SDRAM (DDR-SDRAM)
        
        Características que aumentam a taxa de dados
        
        Transferência de dados é sincronizada tanto na borda de subida como na de descida do clock
        
        Frequência aparente
        
        Frequência de clock mais alta no barramento para aumentar a taxa de transferência
        
        Esquema de buffering
        
        Identificadas ou pela frequência aparente, ou pela taxa de transferência teórica máxima
        
        Fórmula para descobrir a taxa de transferência
        
        Taxa = freq. real das células x freq. do buffer x 64 (núm. de bits por transferência) / 8 (1 byte)
        
        Gerações
        
        Primeira DDR
        
        Os dois dados são passados para um buffer, para serem transmitidos um na subida, e o outro na descida do ciclo de clock
        
        Passa-se a acessar duas regiões diferentes da memória simultaneamente
        
        DDR2
        
        4 regiões da memória sendo acessadas simultaneamente
        
        Dobra-se a frequência do barramento interno e do buffer
        
        Dois dados transmitidos por subida, e dois por descida do ciclo de clock
        
        DDR3
        
        8 regiões da memória sendo acessadas simultaneamente
        
        Dobra-se novamente a velocidade do barramento interno e do buffer
        
        DDR4
        
        16 regiões da memória acessadas simultaneamente
        
        Dobra-se velocidade do barramento interno, apenas
        
        Usa-se dois buffers separados, ao invés de dobrar velocidade de um só
        
        DDR5
        
        Novamente, dobra-se quantidade de regiões da memória acessadas
        
        Buffer de busca de 16-bit
        
        Circuito integrado de gerenciamento elétrico
        
        O próprio módulo regula a tensão dos chips
        
        1 more item...
        
        Todos os módulos tem ECC (Error Correction Code)
        
        Detecta e corrige erros nos dados, antes de enviar à CPU
        
        Barramento de dados de 64 bits separado em dois canais de 32 bits
        
        Melhora a eficiência
    - - Bits armazenados como chaves ligado/desligado (flip-flops)
      - Digital
      - Carga não vaza
      - Contrução mais complexa
      - Menor por bit
      - Mais cara, porém mais rápida
      - Usada principalmente como cache
- - - - RAM
    - - Unidade magnética
        
        HD
        
        Fita
      - Unidades ópticas
        
        CD
        
        DVD
        
        Blu-ray
      - Unidade semicondutora
        
        Memória flash
    - - Registradores
      - Cache
  - - - Em memória de acesso aleatório
        
        Tempo gasto para realizar uma operação de leitura ou escrita
      - Em memória de acesso não aleatório
        
        Tempo gasto para posicionar o mecanismo de
        leitura-escrita no local desejado
    - - Aplicado à memória RAM
      - Tempo de acesso + tempo de recuperação até que se possa acessar novamente
    - - Taxa em que os dados podem ser transferidos para dentro ou fora de uma unidade de memória
  - - - Organização em unidades chamadas registros
      - Começa no início e lê em ordem
      - Tempo de acesso depende da localização dos dados e local anterior
      - Exemplo: fita
    - - Blocos individuais possuem endereço exclusivo
      - Acesso saltando para a vizinhança, mais busca sequencial
      - Exemplo: disco
    - - Endereços individuais identificam localizações com exatidão
      - Tempo de acesso independente de localização dos dados ou localização anterior
      - Exemplo: RAM
    - - Dados são localizados por uma comparação com conteúdo de uma parte do armazenamento
      - Exemplo: cache
  - - - RAM, Cache, Flash
    - - HD, fita
    - - CD, DVD, Blu-ray
  - - - A unidade "natural" de organização da memória
        
        Costuma ser igual ao tamanho de um inteiro e ao tamanho de uma instrução
      - Em alguns sistemas, a palavra é a unidade endereçável
        
        Sempre haverá 2 ^ nbits endereços, onde nbits = tamanho do registrador de endereço
    - - Para a memória interna, a unidade de transferência é igual ao número de linhas elétricas que chegam e que saem do módulo de memória
        
        Desde o primeiro Pentium, unidade básica é de 64 bits
        
        No caso de múltiplos canais, vem em múltiplos: 128, 256...
  - - - Base 2
      - Base 10
        
        Divergência quanto a real quantidade de bytes da unidade de medida
        
        Quanto maior a quantidade de bytes, maior a divergência percentual
- - - - Voláteis
    - - Não voláteis
- - - - Antigos, porém mais resistentes
    - - Mais baratos e mais rápidos
  - - - Aumento massivo na produção e concorrência
      - Tecnologia MLC (Multi-Level Cell)
        
        Cada célula passa a armazenar dois ou mais bits ao invés de um só
        
        O oposto da tecnologia anterior, SLC (Single-Level Cell)
        
        Maior desempenho e durabilidade
- - - - Material é polarizado por uma cabeça magnética, controlada precisamente por um braço atuador
    - - Em muitos sistemas, há uma cabeça de gravação e outra de leitura
      - Durante uma operação de leitura ou gravação, a cabeça fica estacionária, enquanto o disco gira por baixo dela
    - - A eletricidade que passa pela bobina produz campo magnético. Os padrões magnéticos da bobina são gravados na superfície abaixo
        
        Reverter a direção da corrente reverte a direção da magnetização
      - Métodos longitudinal / perpendicular
    - - Mecanismo de leitura tradicional
        
        Superfície magnetizada do disco, passando por baixo da bobina, gera campo elétrico com mesma polaridade
      - Sensor magnetorresistivo MR
        
        Parcialmente blindado
        
        Tem uma resistência elétrica que depende da direção da magnetização do meio que se move por baixo dele
        
        Passando uma corrente pelo sensor MR, as mudanças de resistência são detectadas
        como sinais de tensão
        
        O projeto MR permite uma operação em frequência mais alta
        
        Maior velocidade de operação e densidade de armazenamento