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[G10] 聯電TP2, G10組員, eHV（高壓製程）, RF-SOI（射頻）, BCD（電源管理）, 關鍵性, SCA 佐證, 可持續競爭優勢…

- - - - 成熟製程
        
        12nm
        
        適合高速增長的行動、無線通訊和聯網應用市場，預計於2027 年開始量產
        
        14nm
        
        對於在同一設計中，對高性能和低功耗兼具的需求應用，是最理想的選擇
        
        22nm
        
        市場上各種半導體應用的基本 IP 支持，包括消費電子產品，如機上盒、數位電視、顯示器等，同時更適用於需要延長電池壽命的可穿戴設備
        
        28nm
        
        需要高效能與低功耗之應用產品所開發
        
        40nm
        
        因應各種不同應用的設計需求，以彈性的設計平台提供客戶選擇最適合其特定應用產品的製程元件選項，例如高效能、低功耗電晶體
        
        55/65/90nm
        
        90nm
        
        便於客戶彈性選擇最適合其應用產品的介電值材料
        
        65nm
        
        提供彈性的技術設計平台供客戶為其特定應用產品選擇最佳化的製程元件選項
        
        55nm
        
        提供客戶更小的晶片尺寸，同時以相近或更低的功率維持相同的效能
      - 特殊製成
        
        嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI、 CIS、微機電、高壓製程以及BCD製程等等
        
        合作模式與客製化
    - - 與intel合作開發12奈米製程專案
        
        結合intel在美國的產能與UMC的先進代工製成技術與經驗，以提供客戶更具韌性的供應鏈選擇
    - - 大力支援22/28奈米應用及晶圓需求
  - - - UMC著重IC製造，為專業精度與產品品質延續的考量，以FU為主的單一性與專業性更能滿足考量要件
    - - 執行長、總經理暨營運長
        
        董事會董事長
        
        審計委員會
        
        薪酬委員會
        
        資本預算委員會
        
        提名委員會
        
        公司治理主管
        
        稽核
        
        企業發展
        
        數位
        
        人力資源
        
        財務會計
        
        工程服務
        
        企業暨營運規劃
        
        公共事務暨企業訊息
        
        法務、智權暨法律遵循
        
        生產資源整合
        
        品質暨可靠度保證
        
        技術開發
        
        全球銷售暨行銷
        
        海外子公司
  - - - 1995
        
        1999
        
        2000
        
        2015
        
        2017
        
        2019
        
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        聯芯廈門廠 (USCXM) 28 奈米量產
        
        中國廈門十二吋晶圓廠正式建廠 (USCXM)
        
        成為第一家在紐交所上市的台灣半導體公司
        
        南科十二吋晶圓廠正式建廠
        
        轉型為純晶圓代工公司
      - 從工研院分出，正式成立為臺灣
        首家民營積體電路公司
- - - - 車用電子、工業控制
      - 高可靠度製程、抗輻射與耐高溫、長生命週期製程
    - - 無線通訊、AIoT
      - 高頻模型與設計支援、射頻隔離技術
    - - 手機、AIoT、電源控制
      - 功率元件整合技術、BCD製程、熱管理製程技術
    - - 智慧監控、穿戴裝置、智慧家電
      - 低功耗製程、邏輯製程、感測器整合技術
    - - 手機、電視、面板
      - 關鍵技術
        
        類比/混合訊號製程、薄膜電晶體整合技術
  - - - 將晶圓代工與封裝整合，朝向完整服務體系邁進
    - - 朝先進封裝、矽光子擴大佈局
    - - 大幅降低資本資出
  - - - 爭取當地政府的租稅減免與建設補貼，降低資本支出壓力
    - - 提供客戶更多元的區域供應鏈、降低交易成本
    - - 降低單一地區風險、避免供應鏈中斷
    - - 利用當地人才與技術生態系
  - - - 聯電透過持有子公司或相關企業的股份，建立垂直合作的互補生態系
        
        合作夥伴
        
        智原(提供 IP，先進製程的設計接口)、聯詠、聯陽(設計晶片)、欣興(封裝)、盛群(微控制器 MCU)
    - - 提供晶片代工及研發之技術合作
        
        合作夥伴
        
        Intel
        
        合作開發12奈米製程平台，聯電提供技術，Intel提供產能，利用現有設備，大幅降低資本支出
        
        半導體公司
        
        頎邦
        
        與聯電在驅動IC領域合作，整合完整供應鏈，往更高頻、更低功耗等方向邁進
        
        驅動IC封測代工領導者
    - - 設備供應商與矽晶圓、化學材料、氣體等
        材料供應商
        
        合作夥伴
        
        ASML、Soitec 、Sumco、江豐電子、華立、港建
    - - 順應AI時代擴展產品線，達到差異化
        
        合作夥伴
        
        HyperLight
        
        聯電攜手聯穎光電，與HyperLight合作，在6吋及8吋晶圓上量產TFLN小晶片。
        
        TFLN可解決AI算力爆發後的資料傳輸瓶頸，比起傳統材料更適合AI時代(高調變頻寬、低功耗)
        
        光通訊大廠
        
        imec
        
        取得imec iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學相容性，將加速聯電矽光子技術發展藍圖
        
        AI數據負載日益增加，傳統銅互連面臨瓶頸，矽光子技術以光傳輸數據，正快速發展以滿足資料中心、高效能運算對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求
        
        比利時先進半導體技術創新研發中心
        
        聯穎光電
        
        聯電的子公司，擁有先進光互連技術
- - - - 高
        
        聯電在eHV(超高壓製程)擁有全球市佔第一的地位，這類技術需要長期研發。
    - - 極高 - 因果模糊性
        
        這是聯電的SCA 核心，特殊製程涉及數千道步驟的微調與物理特性控制，對手就算買了同樣的設備，也調不出同樣的良率，這種長期實驗累積下，具有高度的因果模糊性，模仿成本極高。
        
        因果模糊性
        
        半導體設備(ex.ASML 曝光機)誰都能買，但製程配方就像名廚的祕方，特殊製程涉及化學材料的比例、溫度循環的微調，這些數據是聯電工程師過去 20 年在實驗室裡試錯出來的結果，所以，對手就算挖角了幾個工程師，也無法搬走整個工廠累積的數百萬組生產數據，這種不知道為什麼這樣調就會成功的特性，就是因果模糊性，讓優勢變得難以模仿。
    - - 極高
        
        這些技術是智慧型手機(OLED驅動)和電動車(電源管理)的命脈，利潤遠高於一般邏輯晶片。
    - - 高
        
        其他標準製程無法提供相同的電力轉換效率或顯示品質，短期內無替代技術。
    - - eHV(極高壓製程)
        
        手機螢幕的守護者
        
        主要用於 OLED 驅動 IC
        
        用途
        
        OLED螢幕需要精準控制電壓來呈現色彩，eHV技術能讓驅動晶片在更小的體積下處理更高的電壓，同時降低功耗。
        
        聯電在 28nm/22nm eHV 製程的市佔率是全球領先。根據市場數據，隨著手機從 LCD 轉向 OLED，這項技術的需求幾乎是一定要買，且幾乎沒有替代品。
      - RF-SOI(射頻絕緣體上矽)
        
        5G 通訊的橋樑
        
        手機的天線開關與低雜訊放大器
        
        5G訊號頻段非常複雜，RF-SOI可以在高頻環境下減少訊號流失。
        
        聯電是全球 RF-SOI 的主要代工廠之一，這項技術需要極高的物理參數穩定度，對手很難維持一致的通訊品質。
      - BCD(雙極-互補-擴散)
        
        電源管理的專家
        
        電動車與快速充電的電源管理 IC (PMIC)
        
        它結合了三種不同的晶體管構造，能同時處理高電壓(耐壓)與數位訊號(控制）。
        
        隨著電動車續航力要求增加，BCD的效率直接影響電能損耗，聯電的 BCD 技術已打入全球主流車廠供應鏈，具有長期的技術壁壘。
  - - - 高
        
        低資本支出模式
        
        先進製程的建廠成本動輒百億美金，透過這次合作，聯電不需要自己掏錢蓋廠，而是直接使用Intel 在亞利桑那州的現成廠房(Ocotillo Fab）。
        
        技術跨越
        
        聯電原本在14nm以下的FinFET技術進展緩慢，此舉讓聯電能迅速切入12nm市場，服務需要更高算力的客戶(ex.WiFi 7 晶片、射頻產品）。
    - - 超極高
        
        美國本土產能的稀缺性
        
        在地緣政治風險下，美國製造的晶圓代工產能極其珍貴。
        
        結構特殊
        
        這種IDM龍頭(Intel)提供產能 + 聯電晶圓代工提供製程IP與客戶的互補模式，在歷史上幾乎沒有前例，這不是普通的買賣，而是深度的利益綁定。
    - - 極高 - 社會複雜性
        
        信任與法律屏障
        
        這種結盟涉及極其複雜的知識產權交換與長期利潤分成協議，因此，兩家公司如何合作而不互相吞併的管理默契與互信，是競爭對手買不到的。
        
        排他性與政治門檻
        
        由於地緣政治，中國廠商(ex.中芯國際)絕對無法獲得Intel的產能合作；而其他競爭對手(ex.格芯)與 Intel在某些領域是直接競爭對手，難以建立此等信任，這種獨特的時空背景與社會網絡，讓這項資源幾乎不可能被模仿。
    - - 中高
        
        替代方案有限
        
        雖然可以找德州儀器(TI)或意法半導體(ST)合作，但他們的製程大多集中在更成熟的節點(ex.40nm以上），且產能規模與技術領先程度(12nm FinFET）完全無法與Intel相比，因此，Intel提供的這項組合是目前市場上的唯一最優解。
  - - - 中
        
        錢能解決的問題就不算極難模仿，因為競爭對手若有足夠資金與政府補貼，花3-5年也能蓋出類似的廠房，因此，它的門檻在於時間而非技術絕對無法達成。
    - - 中高
        
        全球具備22/28nm大規模量產能力的廠商(ex.台積電、聯電、格芯、中芯)屈指可數，而且在新加坡擁有先進廠房者更少。
    - - 高
        
        在地緣政治緊張下，客戶需要非中系產能，而新加坡具備穩定的政治環境與半導體聚落，該廠能確保聯電在全球供應鏈的關鍵位置。
    - - 高
        
        晶圓代工是實體製造，目前沒有任何虛擬技術或軟體能替代實體晶圓廠的產出。
  - - - 低/中
        
        普遍性
        
        財務健康是所有頂尖半導體公司(ex.台積電、格芯、三星、德州儀器)的共同標配。
        
        競爭對手狀況
        
        雖然聯電很有錢，但它的競爭對手也都有豐厚的現金儲備，在VRIN框架中，如果每個人都有同樣的東西，那它就稱不上稀少。
    - - 高
        
        擴張動能
        
        新加坡P3廠需要數十億美元的資本支出，若沒有穩定的財務支持，聯電無法在 2026 年完成產能布局。
        
        抗風險能力
        
        半導體是高度循環的行業，聯電擁有強健的現金流，意味著在產業景氣低迷時，它不必被迫裁員或暫停研發。
        
        高毛利優勢
        
        聯電近年毛利率維持在 30%-35% 左右(優於過往的 20% 左右），主因是前面提到的特殊製程貢獻。
    - - 低
        
        結果而非原因
        
        財務報表上的數字是結果，對手如果想要更多錢，可以透過銀行貸款、發行公司債、政府補助或改善經營。
        
        無進入門檻
        
        錢是可以被買到的(透過金融市場)，這與需要花 20 年才能練成的特殊製程技術完全不同，技術難以模仿，但資金可以籌措。
    - - 中
        
        賦能者
        
        錢本身不能生產晶片，它必須轉化為設備或人才。
        
        不可替代性有限
        
        在競爭中，技術優勢可以直接擊敗對手，但財務優勢只能讓你在技術落後時撐久一點，它無法取代技術或產能帶來的核心競爭力。
- - - - 擁有策略性資源
      - 符合VRIN特性
        
        稀少性
        
        難模仿
        
        有價值
        
        不可替代性
  - - - 應用
        
        5G通訊
        
        電動車電源管理
        
        手機螢幕
      - 優勢
        
        技術累積
        
        製程複雜
        
        良率難複製
    - - 聯電提供技術 Intel提供產能
        
        低資本輸出
        
        快速切入先進製程
        
        美國產能
        
        政治地緣優勢
    - - 毛利率約30%～35%
        
        支撐研發
        
        暫時性優勢
        
        抗景氣循環
  - - - 高毛利
        
        強現金流
      - 強現金流
        
        支撐研發
        
        形成正向循環
        
        競爭優勢強化
      - 特殊製程
        
        高毛利
      - 研發
        
        技術難模仿
  - - - 特殊製程技術
        
        聯電最核心的競爭優勢
      - Intel合作
        
        12nm合作（技術 + 產能）
        
        價值
        
        降低資本支出+進入先進市場
        
        稀少性
        
        不是每家公司都能合作
        
        難模仿
        
        建立信任和長期合作關係不易複製
        
        難以模仿的策略結盟優勢
        
        不可替代性
        
        找不到同等級的替代夥伴
    - - 全球產能布局（地緣政治優勢）
        
        價值
        
        客戶需要「非中系產能」
        
        有優勢但不是長期壟斷
        
        稀少性
        
        有，但不多
        
        模仿
        
        可模仿（花錢+時間可建廠）
        
        替代
        
        有替代方案（其他地區）
    - - 財務資源-高毛利、穩定現金流
        
        稀少性
        
        競爭對手也有
        
        模仿
        
        可透過金融市場取得
        
        只能撐起競爭無法創造競爭優勢
        
        價值
        
        重要
        
        替代
        
        可被替代
- - - - 進料後勤
        
        採購在地化
        
        縮短產品交期
        
        供應鏈風險資料庫
        
        主要原料矽晶片供應商
        
        台灣信越S.E.H.
        
        環球晶圓GlobalWafers
        
        SUMCO Group
        
        SOITEC
      - 生產作業
        
        12 座晶圓廠
        
        總月產能超過 40 萬片12吋約當晶圓
        
        全部皆符合汽車業的IATF 16949品質認證
        
        高良率成熟製程和主流製程能力
        
        台南 Fab 12A 獲得世界經濟論壇認證，透過 AI 與自動化技術將產品良率提升至 97%
      - 出貨物流
        
        將完成晶圓交付至客戶指定封測廠或直接客戶
        
        積極佈局 2.5D/3D 先進封裝
      - 行銷與銷售
        
        專注於通訊、消費性電子與車用領域
        
        利用「多元生產基地」策略吸引規避地緣政治風險的客戶
        
        長期技術開發與生產合作
        
        28 奈米等關鍵製程簽署長期供應協議
        
        合約覆蓋率達八成產能
      - 顧客服務
        
        線上服務平台（MyUMC）
        
        成立專案小組定期追蹤改善成效
        
        客戶線上即時申訴系統
        
        季評核會議
        
        透過與客戶高階主管溝通，以及客戶所提供的評分卡，進一步了解客戶的需求及滿意度。
    - - 企業基礎設施
        
        成立風險管理委員會與 ESG 指導委員會以及其他協助公司治理的委員會
        
        全球12座晶圓廠與獲權超過15,560 件專利
      - 人力資源管理
        
        全球約 20,000 名員工
        
        實施員工持股信託計畫及教育訓練和人才發展計畫
      - 技術開發
        
        2024 年研發投入達新台幣 156 億元
        
        累計獲權專利超過 15,560 件
        
        2024年資本支出約美金 29 億元
        
        台南 Fab 12A、新加坡 Fab 12i 與子公司聯芯的產能擴充
        
        各廠產品組合的優化
        
        研究開發項目
        
        矽光子（CPO）技術
        
        深耕 22/28 奈米特殊製程
        
        eHV, RFSOI, RRAM
      - 採購
        
        與主要供應商維持長期合作
        
        逐步提升本地採購比例
        
        供應商管理委員會的季度評核
        
        動態調整採購權重，並結合資源整合開發管理委員會執行跨廠區整合
        
        聯電提出將自2026年1月1日起執行成本優化措施，要求供應商提出可執行的且降幅至少15%的降價方案
- - - - 跨國資源整合
        
        2024年初與 Intel 合作開發 12 奈米，利用其美國亞利桑那廠產能
        
        快速獲取海外產能以避開地緣政治風險
      - 商業模式革新
        
        2021年4月與大型客戶（聯發科、瑞昱等）簽訂長約，由客戶支付產能保證金擴充 28 奈米
        
        改變傳統單向接單流程，達成與客戶的風險共擔，將 22/28 奈米營收占比從 2021 年的 20% 顯著拉升至 2025 年的 37%(占比最高)
      - 風險預警感知
        
        從2020年起見置風險監控平台，建立了「供應鏈風險資料庫」使公司能完整掌握所有關鍵原料及產區資訊因應風險
  - - - 技術價值提升
        
        2025年與 imec 簽署技術授權協議，引進 iSiPP300 矽光子製程，在22 奈米等成熟製程基礎上結合矽光子技術，提升產品附加價值
      - 資本配置與結構優化
        
        2021年起，投入18到30億美元投資廠房，目的在於產能擴充與產品優化，且資本支出約 90% 投入於 12 吋晶圓廠，鎖定成熟製程。
        
        毛利率從2020年以前20%到穩定維持在30%
      - 全球產能韌性
        
        2022年2月投入 50 億美元擴建新加坡 Fab 12i P3 廠房，預計將使聯電新加坡Fab 12i廠總產能提升至每年超過100萬片12吋晶圓
      - 專利佈局
        
        聯電在市場上擁有超過15000個專利，2021年導入「台灣智慧財產管理制度」保護其核心技術資產
      - 關鍵顯示技術演進
        
        聯電關注到智慧型手機螢幕從 LCD 轉向 OLED 的趨勢，2021年起三星與聯電合作，以解決三星等大廠OLED DDI 產能不足的問題，建立 28nm eHV 的龐大產能規模
        
        隨後推出28eHV+ 與 22nm eHV，前者在不影響影像品質的前提下，降低功耗達 15%；後者則是更快的運算速度以及更小的電晶體洩漏電流，功耗再降低 30%
  - - - 視員工技術能耐為核心資產
        
        於 2022 年底成立「半導體設備學院」，配置實體機台提供理論與實機操作培訓
      - 數位服務深化
        
        導入 MyUMC 服務平台與 VOC 即時申訴系統，強化客戶數據透明化
- - - - 新加坡 Fab 12i P3 廠
        
        關鍵活動 (KA)
        
        地緣避險產能布建、"China + 1" 供應鏈優化
        
        關鍵資源 (KR)
        
        非中系先進成熟製程產能
        
        數據分析 (CS/RS)
        
        CS
        
        資本支出 (CapEx) 與折舊壓力之動態管控
        
        RS
        
        獲取車用與工控大廠之安全溢價訂單
        
        策略成果 (CR+CH)
        
        確立全球地緣避險供應核心地位
    - - 強健的現金流與高毛利產品組合
        
        關鍵活動 (KA)
        
        價值導向之資本配置、獲利驅動成長模式
        
        數據分析 (CS/RS)
        
        CS
        
        充沛現金流支應高額折舊壓力
        
        RS
        
        高毛利產品組合優化整體營收質量
        
        關鍵資源 (KR)
        
        高流動性現金、高獲利產品組合
        
        策略成果 (CR+CH)
        
        構築最具獲利效率之財務護城河
  - - - 特殊製程技術資產
        
        關鍵活動 (KA)
        
        去商品化研發、特殊應用平台開發（eHV, RF-SOI）
        
        數據分析 (CS/RS)
        
        CS
        
        高議價力守住毛利率底線（30% 以上）
        
        RS
        
        22/28nm 營收占比攀升（20% 上升至 37%）
        
        關鍵資源 (KR)
        
        22/28nm 特殊製程 IP、PDK 技術套件
        
        策略成果 (CR+CH)
        
        建立高轉換成本與技術模仿障礙
    - - 與 Intel 的 12nm 戰略合作協議
        
        關鍵活動 (KA)
        
        輕資產策略聯盟、資源取用 (Resource Accessing)
        
        數據分析 (CS/RS)
        
        CS
        
        顯著降低 2025 年資本支出壓力
        
        RS
        
        拓展 12nm 市場版圖，延續成長動能
        
        關鍵資源 (KR)
        
        Intel 廠房資源、12nm 技術授權
        
        策略成果 (CR+CH)
        
        轉化為全球技術整合者之靈活常規