Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
BÀI 15: MỘT SỐ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ PHỐ BIẾN - Coggle Diagram
BÀI 15: MỘT SỐ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ PHỐ BIẾN
Linh kiện thụ động
Tụ điện
Thông số kỹ thuật
Điện áp định mức (U(đm))
trị số điện áp lớn nhất cho phép đặt lên hai cực của tụ điện (v)
Dung kháng (X(c))
sự cản trở của tụ điện với dòng điện xoay chiều X(c) = 1/ (2pifC)
Điện dung (C)
khản năng tích lũy năng lượng điện trường của tụ điện khi có điện áp thuận đặt lên hai cực của nó (F)
Khái niệm
cản trở dòng điện một chiều và cho dòng điện xoay chiều đi qua
Điện trở
Khái niệm
Để hạn chế hoặc điều chỉnh và phân chia điện áp trong các mạch điện, điện tử
Thông số kỹ thuật
Công suất định mức
Công suất tiêu hao trên điện trở khi có dòng điện chạy qua mà nó có thể làm việc được trong thời gian, không bi cháy hoặc đứt
Giá trị điện trở
mức độ cản trợ dòng điện của điện trở (Ohm)
Cuộn cảm
Khái niệm
Để dẫn dòng điện một chiều, chặn dòng điện cao tần (dòng điện xoay chiều) và khi mắc phối hợp với tụ điện tạo thành mạch cộng hưởng
Thông số kỹ thuật
Điện cảm (L)
khả năng tích lũy năng lượng từ trường của cuộn cảm khi có dòng điện chay qua nó (H)
Dòng điện định mức (Idm)
trị số dòng điện lớn nhất cho phép chạy qua cuộn cảm (A)
Cảm kháng (Xl)
sự cản trở của cuộn cảm đối với dòng điện xoay chiều chạy qua nó (Ohm), X(l) = 2pifL
Linh kiện tích cực
Diode (D)
Khái niệm
linh kiện được tạo thành từ hai lớp vật liệu bán dẫn P (mang dương, anode) và N (mang âm, cathode)
Khi diode được phân cực thuận (Uak > 0) thì cho dòng điện theo chiều thuận từ anode sang cathode
Thông số kỹ thuật
Điện áp ngược lớn nhất
U max khi U ak < 0 là trị số điện áp lớn nhất cho phép đặt lên hai cực của diode mà vẫn đảm bảo an toàn, diode không bị thủng (V)
Dòng điện định mức
trị số dòng điện lớn nhất cho phép chạy qua diode mà vẫn đảm bảo an toàn, không bị đánh thủng (A)
Transistor lưỡng cực (BJT)
Khái niệm
cấu tạo gồm ba lớp vật liệu bán dẫn tương ứng với ba cực Base (B), collector (C) , Emitter (E)
Phân loại
NPN
Dòng điện Ic từ C -> E khi Ib đi từ B -> E (Ube, Uce >0)
PNP
Dòng điện Ic từ E -> C khi Ib đi từ E -> B (Ube, Uce <0)
Thông số kĩ thuật
Dòng điện collector định mức
dòng điện collector lớn nhất chạy qua transistor (A)
Dòng định base định mức
dòng điện base lớn nhất chạy qua transistor (A)
Điện áp định mức collector - emitter (U ceo)
Điện áp lớn nhất cho phép đặt lên hai cực C và E để transistor không bị thủng (V)
Điện áp định mức base - emitter
Điện áp lớn nhất cho phép đặt lên hai cực B và E để transistor không bị thủng (V)
Hệ số khuếch đại dòng điện
Tỉ số dòng điện đâu ra Ic và đầu vào Ib
Mạch tích hợp IC
Cách xác định
2 hàng chân
chân số 1 ở ngoài cùng bên trái + ngược đồng hồ + chấm tròn phía trên trái đầu tiên
1 hàng chân
chân số 1 ở ngoài cùng bên trái + ngược đồng hồ
Phân loại
Đặc điểm tính hiệu xử lí
IC tương tự
tín hiệu tương tự (IC tuyến tính, IC cao tần)
IC số
cổng logic, mạch tổ hợp logic
IC tương tự + số
Công dụng
cảm biến
mạch xử lí dòng điện
bộ xử lí CPU
Mật độ tích hợp
MSI
mật độ tích hợp trung bình, vài trăm transistor
LSI
mật độ tích hợp lớn, hàng nghìn transistor
SSI
mật độ tích hợp nhỏ, vài chục transistor
VLSI
mật độ tích hợp rất lớn, vài trăm ngàn đến hàng tỉ transistor
Khái niệm
Tập hợp gồm nhiều linh kiện bán dẫn và linh kiện thụ động được chế tạo bằng các công nghệ đặc biệt tinh vi với độ chính xác cao