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稳定高效的相变工艺, 阵列剥离MoS2 - Coggle Diagram

- - - - 预先的物相表征？
        （用于后续对比）
        
        旋胶、烘胶
        
        EBL光刻、显影
        
        光照相变
        
        旋胶、烘胶
        
        温度要低于100 ℃，
        保留1T/1T'相
        
        EBL光刻、显影
        
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        一般会有PMMA残胶
        
        刻蚀
        
        使用H2等离子体
        退火活化材料边缘
        
        使用XPS等表征
        确定活化效果
        
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        可能会引入F等元素
        钝化材料边缘
        
        温度一般150 ℃