Please enable JavaScript.

Coggle requires JavaScript to display documents.

Polovodičové paměti - Coggle Diagram

- - - - SRAM
        
        Je tvořena klopným obvodem, stav tohoto obvodu reprezentuje logickou hodnotu 0/1, jedná se paměti malé kapacity, napřregistry nebo cache pamět
      - DRAM
        
        tato pamět je oproti SRAM pomalejší, ale má větší kapacitu, je tvořena kondenzátorem a tranzistorem typu MOSFET, které se řídí podle vybitého nebo nabitého pamětového kondenzátoru,
        0 = vybitý 1=nabitý využití operační pamět DDR5
  - - - ROM
        
        Informace jsou do ní zapsané ve výrobě a pak s nimi nejde nic udělat, nejdou měnit.
      - PROM
        
        Pamět kterou si uživatel programuje sám, ale jakmile jednou zapíše informace až nejdou změnit
      - EPROM
        
        Stejně jako prom ale informace jdou změnit UV zářením. doba mazání je cca 30min
      - EEPROM
        
        je podobná eprom ale, dané informace jdou měnit/smazat pomocí el. impulsů doba mazání se pohybuje v milisekundách
      - FLASH ROM
        
        Je nejrychlejší ze všech a dá se s ní pracovat jako s RAM, po odpojení se ale nevymaže využití flash disky, ssd disky
- - - - Uchavávají informaci po celou dobu co jsou připojeny ke zdroji
    - - Ty mají tendenci informace ztrácet i po čas napájení ze zdroje a tak je potřeba je neustále periodicky oživovat / refreshovat