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((Aplicaciones, Definición y Descripción General, Pasos del Proceso,…
Dispositivos nanoelectrónicos (HEMTs, SETs, MTJs).
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Estructuras quirales, cristales fotónicos.
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MESFETs, uniones MIM y 1D.
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- Definición y Descripción General
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Involucra nanolitografía, grabado en seco y/o "lift-off".
Alta resolución (sub 10 nm), fiabilidad y precisión.
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Usa resinas multicapa: PMMA, ZEP, HSQ, UVIII, SU-8.
Factores clave: sensibilidad, contraste, grosor, rugosidad.
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Procesos específicos
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Bicapa LOR/PMMA (socavado, 20 nm).
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- Comparación con Otras Técnicas
EBL vs evaporación angular, óptica, rayos X.
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PMMA/Al/UVIII mejor en sensibilidad, CD, tiempo.
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Ventajas
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Procesos avanzados: LOR/PMMA, PMMA/Al/UVIII.
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MESFETs, uniones MIM y 1D.
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Estructuras quirales, cristales fotónicos.
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Dispositivos nanoelectrónicos (HEMTs, SETs, MTJs).
- Definición y Descripción General
Factores clave: sensibilidad, contraste, grosor, rugosidad.
Usa resinas multicapa: PMMA, ZEP, HSQ, UVIII, SU-8.
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Alta resolución (sub 10 nm), fiabilidad y precisión.
Involucra nanolitografía, grabado en seco y/o "lift-off".
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- Comparación con Otras Técnicas
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PMMA/Al/UVIII mejor en sensibilidad, CD, tiempo.
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EBL vs evaporación angular, óptica, rayos X.
Procesos específicos
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Bicapa LOR/PMMA (socavado, 20 nm).
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Ventajas
Procesos avanzados: LOR/PMMA, PMMA/Al/UVIII.
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