Please enable JavaScript.

Coggle requires JavaScript to display documents.

Silizium, SiO2 als Isolator, Silizium in Sensoren, Mehrfachbindungen,…

- - - - Elastizitätsmodul
      - Schubmodul
      - Poissonzahl
      - isotrop
  - - - Einfachbindungen dominieren
      - Si–O-Bindung besonders stabil
- - - - V Hauptgruppe
        
        n-Typ
        
        Elektronen
        
        Donator
      - III Hauptgruppe
        
        p-Typ
        
        Löcher
        
        Akzeptor
    - - Diffusion
        
        thermisch aktivierter Ausgleichprozess
        
        bis
        
        Gleichverteilung erreicht
        
        Fremdatome „einfrieren“
        
        ermöglicht Verteilung von Dotierstoffen im Kristall
        
        Voraussetzung
        
        Konzentrationsgradient in Dotierstoffverteilung
        
        Ablauf
        
        Belegungsschritt
        
        Eintreibschritt
      - Ionenimplantation
        
        Vorteile vs. Diffusion
        
        Niedrige Prozesstemperatur
        
        Präzise Steuerung
        
        Materialunabhängig
        
        Flexible Maskierung
        
        Ionen werden erzeugt, beschleunigt und auf Substrat gelenkt
        
        Ablauf
        
        Charakteristiken der Implantation
        
        Reichweite implantierter Ionen
    - - Schaffung von p- oder n-Typ-Halbleitern
      - Erhöhung der Leitfähigkeit
  - - - Tiegelfreies Zonenziehen
        
        Herstellung von Hochreinem Silizium
      - Kristallziehverfahren nach Czochralski
- - - - Bifaziale Siliziumzellen
      - Tandemzellen
      - Ultradünne und flexible Siliziumzellen
    - - Monokristallines Silizium
        
        Hergestellt aus Einkristallstruktur
        
        Teurer, lange Lebensdauer
        
        Höchster Wirkungsgrad
      - Polykristallines Silizium
        
        Mäßiger Wirkungsgrad
        
        Hergestellt aus mehreren Kristallen
        
        Geringere Kosten
      - Amorphes Silizium
        
        Dünnschichttechnologie
        
        geringerer Wirkungsgrad
        
        Tragbare Geräte
    - - Antireflexbeschichtung
      - Metallkontakte
      - P-N-Übergang
  - - - Ladungsträgerbeweglichkeit niedriger als bei Ge oder GaAs
    - - Substrat aus einkristallinem Silizium
      - Transistoren durch Silizumdotierung
- - - - Kostenpunkt: Reinigung und Verarbeitung
- - - - digitale Fotoapparate
      - Videokameras
      - Smartphones
    - - Medizinische diagnostische Bildgebung
    - - Windkraftanlagen
      - fahrerlosen Transportfahrzeugen
      - Laserentfernungsmesser