Ch.2
semiconductor物理簡介
2.3 P-N熱平衡接面
2.4 P-N順偏接面
2.2 semiconductor的導電電流
2.5 P-N逆偏接面
2.1 semiconductor材料
2.6 diode動態C
分類
簡介
本質(instrinsic)semiconductor
雜質(extrinsic)semiconductor
N-type
P-type
混和摻雜
飄移(drift)電流
擴散(diffusion)電流
不均勻摻雜導致內建電場
總電流
P-N步級(step)接面簡介
空乏區的調變
電流的推導
空乏區的調變
breakdown
zener breakdown(電場型崩潰)
雜質濃度提高，崩潰電壓降低
累增(avalanche)breakdown(電壓型崩潰)
空乏C(接面C)
順偏擴散C
電子/電洞 drift電流密度
注意事項
總drift電流
電阻係數(resistivity)
條形材料電阻值
導電係數(conductivity)
R係數的溫度係數
熱阻器(thermistor)
敏阻器(sensistor)
電子diffusion電流
電洞diffusion電流
電子/電洞 電流
Einstein's relation
以電洞推導內建壓差(電洞總電流=0)
以電子推導內建壓差(電子總電流=0)
濃度均勻的P-N兩種材料相接(P-N step接面)
空乏區(depletion region)形成
物理微觀特性計算
若逆偏，作濾波用，diode為可變C，稱 變容二極體(varactor)