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Ch.2 - Coggle Diagram

- - - - 濃度均勻的P-N兩種材料相接(P-N step接面)
      - 空乏區(depletion region)形成
      - 物理微觀特性計算
  - - - 電子/電洞 drift電流密度
      - 注意事項
      - 總drift電流
        
        電阻係數(resistivity)
        
        條形材料電阻值
        
        導電係數(conductivity)
      - R係數的溫度係數
        
        熱阻器(thermistor)
        
        敏阻器(sensistor)
    - - 電子diffusion電流
      - 電洞diffusion電流
    - - 以電洞推導內建壓差(電洞總電流=0)
      - 以電子推導內建壓差(電子總電流=0)
    - - 電子/電洞電流
      - Einstein's relation
  - - - zener breakdown(電場型崩潰)
      - 雜質濃度提高，崩潰電壓降低
      - 累增(avalanche)breakdown(電壓型崩潰)
  - - - 本質(instrinsic)semiconductor
      - 雜質(extrinsic)semiconductor
        
        N-type
        
        P-type
      - 混和摻雜
  - - - 若逆偏，作濾波用，diode為可變C，稱變容二極體(varactor)