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Ch.3 - Coggle Diagram

- - - - 載子流動圖
        
        IE成分
        
        IB成分
        
        IC成分
        
        叮嚀
      - 電流推導
        
        IC
        
        IB
        
        叮嚀
      - B儲存的超額少量載子電量
      - 電流關係
      - 維持active的條件
    - - 順主動區(E順,C逆)，放大訊號
      - 順飽和區(E大順,C中順)，short
      - 截止區(雙逆)，open
      - *反主區(E逆,C順)，少用
      - *反飽區(E中順,C大順)，少用
    - - 條件
      - 特徵
      - 少量載子分佈圖
    - - pnp
      - transistor的濃度分布
      - npn
    - - 特徵
      - 少量載子分佈圖
  - - - sat特性
        
        偏差電壓(offset voltage)
      - cutoff高階特性
        
        E open
        
        B open
      - active特性
        
        高階效應
        
        Early-effect / base width modulation effect
        
        B濃度濃，early-effect輕微(優點)，難擊穿，beta小(缺點)
        
        BW窄，early-effect明顯(缺點)，易擊穿，beta大(優點)
        
        DC計算不考慮early-effect
        
        擊穿崩潰(punch-through breakdown)
        
        考慮early-effect，active的大訊號model需在側面加上ro
        
        ideal特性
      - breakdown高階特性
        
        IB=0
        
        IE=0
        
        IC=0
        
        VCB>VCE>VEB
      - 叮嚀