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텅스텐막
티타늄질화막, 본원: 따라서 인산을 사용, 인용1: 실시예 대부분 인산 - Coggle Diagram
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인용1: 실시예 대부분 인산
영향 미치면 안되는 것: 탄탈륨막
선택비(selectivity)로 물질 X의 식각속도/ 물질 Y의 식각속도로 정의된다. 주로 물질 X는 식각을 원하는 물질(Etch target)이며, 물질 Y는 식각을 원하지 않는 물질(mask layer or other material)로 계산한다. 즉, 선택비가 클수록 원하는 etching 공정이 잘 이루어진다는 것을 의미한다.
탄탈륨 질화물막에 대한 티타늄 질화물막의 식각 선택비는 1000이상일 수 있다. 좀 더 바람직하게, 탄탈륨 질화물막에 대한 티타늄 질화물막의 식각 선택비는 1500이상 5000 이하일 수
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