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인용1, PR (불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF), , 극자외선(EUV)), ARC anti reflective…
인용1
청구항1
(B) 알콕시기 포함
알킬알콕시프로피오네이트
MMP(메틸3메톡시프로피오네이트)
알콕시 1
5C 유기에스테르
PR
불화크립톤(KrF)
인용 1에 실험 있음
크립톤: 비활성 기체
무기입자 또는 금속산화물
아님
불화아르곤(ArF)
인용 1에 실험 있음
무기입자 또는 금속산화물
아님
, 극자외선(EUV)
인용 1에 실험
없음
출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉(
http://www.thelec.kr
)
-아 주석이라는 무기물이.
“주석이 대표적인데요. 주석이라는 금속. 청동 구리와 주석의 혼합물 이런 것들 많이 아실 텐데. 청동기 시대를 우리가 지나왔으니까. 근데 이 주석이라는 금속이 있는데 이 주석이 좀 특별합니다. 주석이 EUV를 잘 흡수하거든요.”
-무기물이라는 것은 어떤 걸 얘기하는 겁니까?
“무기물을 이용한 EUV 레지스트가 아마도 대세가 되지 않을까라는 그러한 생각을 하고 있습니다.”
-무기물.
ARC
anti reflective coating
반사 방지막
Top ARC
재료: 폴리머
THC(두께조절법)/ 상쇄간섭 유도
Hard mask로 사용될 수 없음
폴리머가 좋지 않아 공정이 agrresive하면 Hard mask 어려움
Bottom ARC(BARC)
ORGANIC
빛을 흡수해서 반사가 덜 되게끔함
약함
에칭 감도가 좋지 않음
INORGANIC
현대 반도체 공정에서 많이 사용
organic보다 덜 깎여서 마스크로 쓰기 좋음
Top ARC와 마찬가지로 매칭이 중요
실험1
PR 종류에 따른 용해 속도 실험
KrF용
포토레지스트 폴리머들의 흡광도를 파장에 따라서 분류한 그래프입니다. 193nm ArF 이전 기술은 248nm KrF 레지스트입니다. KrF에서 사용하던 폴리머를 ArF에서도 사용하면 되지 않을까요? 안됩니다.
KrF 레지스트는 polyhdroxy styrene구조의 폴리머입니다.
폴리머 구조에 있는 benzene그룹은 193nm 부근에서 강한 흡광을 가지게 되어 사용할 수 없습니다.
따라서 193nm에서는 새로운 폴리머가 필요하게 됐고, 바로 Polyacrylate가 적용되었습니다. (= ArF의미)
ArF용
polyacrylate는 Ohnish parameter가 굉장히 낮은 구조입니다.
polymer 자체가 etch에 대해서 저항성이 낮은 aliphatic 구조인데, etch 저항성을 높이려면 ring sturcture가 필요하게됩니다.
BARC-1
PR의 하부막에 사용되며 난반사를 조절하는 ㅁ루질
ArF BARC, KrF BARC 등이 일반적
에지부위 불필요 감광막 제거 실험
ArF용 PR
Arf(불화 아르곤) 포토레지스트는 이에 193nm로써 주로 10~30nm 공정의 반도체에 이용되는 첨단 소재입니다.
ArF용 BARC
청9 병합
포함된 화합물이 일부 동일하다 해도
동일한 효과를 낼 수 없음- 예측할 수 없는 효과
본원은 금속/무기입자 포함하는 PR 과 양자점을 포함하는 PR에 대해 효과적이도록 설계한 조성물이니까
그래서 본원 실험예의 PC는 실시예 및 비교예 45~83
MMP는 15~45
인용 1 실험예의 PC는 실시예 및 비교예 5~10
MMP 실시예 및 비교예 80~100
본원과 전혀 관계가 있다고 보기 힘든 중량% 범위이며
당 업자 입장에서 그 물질을 포함햇다는 것만으로 동일한 효과를 전혀 예측할 수 없음
심사관이 지적한 단순 수치한정으로 절대 볼 수 없
인용 1에는 관련 실험이나 언급 없으니까 (실험예)
krf arf는 금속 포함하지 않음
심지어 실험은 속도와
Edge Bead Removing 실험
Edge Bead란 반도체 포토 공정에서 웨이퍼 위에 PR을 분사 후 회전시켜 코팅하는 방식인 Spin Coating하게 되는데 이때 가장자리 부분은 원심력과 표면 장력에 의해 포토레지스트가 뭉치는 edge bead 현상이 발생하게 됩니다.
심지어 본원은 제조 후 일주일이 경과된, 실시예 및 비교예에 따른 세정액 조성물에 상온에서 1분간 침지 후 잔류 세정액 조성물을 건조시켜, 포토레지스트의 박리 정도를 평가한 것
대상 PR이 다르면 흡수파장이 완전히 달라서 쓸 수 없다는 증거
그러면 포토공정에 사용했던, 그리고 지금 사용하고 있는 광원은 어떤것이 있을까.
그 광원의 종류에는 g-line, i-line, KrF, ArF, EUV가 있다. g-line, i-line을 Near UV, KrF, ArF를 DUV(Deep UV)라고 부른다.
본원은 금속/무기입자에 대한 실험예
심지어, 비교예가 레드 감광성 PR(일반 PR)에는 효과적이나
양자점 포함 PR에는 효과적이지 않다는 비교에도 존재
서로 언급 없음
본원에는 krf arf 언급이 없고
인용 1에는 양자점 금속입자 무기입자 언급 없
BCT
바텀 코팅
BARC를 사용하는 공정
=포토레지스트 코팅 전의 반사방지막 공정
TARC
탑 반사방지막 공정
ARC를 사용하는 공정
본원
무기 입자 및 금속산화물이 포함된 포토레지스트
의 기재와의 밀착력을 떨어트리고, 용해시키므로, 제거력 향상 측면에서 이점이 있다.
https://www.sedaily.com/NewsView/269O0OHTNS
청6 병합
효과도 상