Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
MEMÓRIA SECUNDÁRIA, MAPA MENTAL 4, Disciplina: AOC 2023/02, Aluno: Caio…
MEMÓRIA SECUNDÁRIA
RAID
Características
Área redundante do disco
armazena dados de paridade
Conjunto de drivers de discos físicos
7 níveis sem relação de hierarquia
Dados distribuídos por discos físicos de array
RAID 0
Não redundante
Maior velocidade
Dados espalhados em todos os discos
Discos buscam em paralelo
RAID 1
Discos espelhados
Caro
Gravação em ambos
2 cópias de stripe em discos separados
Dados espalhados pelos discos
RAID 2
Discos sincronizados
Caro
Muita redundância
Stripes pequenos
Discos de paridade armazenam correções de erro
RAID 3
Semelhante a RAID 2
Altas taxas de transferências
Só um disco redundante
RAID 4
Cada disco opera independente
Bom para taxa de solicitação E/S alta
Grandes stripes
Paridade armazenada no disco de paridade
RAID 5
Usado em servidores de rede
Paridade espalhada por todos os discos
Como a RAID 4
Alocação Round-Robin para stripe de paridade
Evita gargalo do RAID 4 no disco de paridade
RAID 6
Dois cálculos de paridade
Alta disponibilidade de dados
Armazenado em blocos separados e discos diferentes
Perda de dados só se 3 discos falharem
Memória Flash
SSD
Vantagens x
HD's
Altas taxas de transferência
Alto desempenho em operações E/S
Baixo consumo elétrico
Longevidade
Baixo tempo de acesso
Durabilidade
Frio e silencioso
Baixa latência
Desvantagens x HD's
Maior custo por MB
Baixa capacidade de armazenamento
Aspectos práticos
+tempo de uso = -desempenho
Tecnologia wear-leveling faz drive durar anos
Células flash inúteis após n escritas
Comando TRIM minimiza o problema
Características
Chips de memória Flash
Múltiplos canais de acesso
SDCards
Velocidades
Classe de velocidade
Speed Class original
Video Speed Class
UHS Speed Class
Barramento
Padronização Ultra High Speed e SD Express
Pendrives
+capacidade = +preço
Facilmente lidas/escritas
Armazenamento portátil
Mais rápidos
Substitituiram mídias ópiticas
Funcionamento
Semelhante ao transistor
Porta Flutuante
Evolução
Diminuição de preço
Tecnolgia Mult-Level Cell
+bits por célula = +lenta e -desempenho
+bits por célula = suporta -ciclo de apagamento
+bits por célula = +barato
Aumento da produção e concorrência
Características
Semicondutora
Possível apagar blocos de memória
Tecnologia de apagamento elétrico
Um transistor por bit
Usada como Memória Secundária
Tempo de acesso rápido
Não volátil
Tipos
NAND
Mais barata
Mais rápida
NOR
Maior resistência
Antigos e fora de uso
Fita magnética
Usada em backups de grandes empresas
Velocidade de leitura/escrita razoável
Meio barato
Boa durabilidade
LTO armazenamento magnético
Serial
Disco Magnético
Desempenho
Tempo de busca
Tempo de acesso = Busca + Latência
Latência
Taxa de transferência
Mecanismos de
Leitura e gravação
Mecanismo de gravação
Sensor magnetorresistivo
Mecanismo de leitura tradicional
Organização e formatação
de dados
Trilhas divididas em setores
Trilhas alinhadas = cilindros
Muitas trilhas por superfície
Velocidade do disco
trilhas + externas = +armazenamento
Bit perto do centro = +lento
Características físicas
Prato
Cabeça
Disquete
Lacuna aerodinâmica
Lacuna fixa
Face única ou dupla
Memória óptica
Tipos de mídias
CD
DVD
Blu-ray
LaserDisc
Características Gerais
Lidos com laser
Alta durabilidade
Resistentes
Baratas
Péssimos em leitura aleatória
MAPA MENTAL 4
Disciplina: AOC 2023/02
Aluno: Caio Chiabai de Oliveira