Si analizza prima la parte di sinistra del circuito (ramo di riferimento) costituito da un MOSFET a canale n, con gate e drain cortocircuitati. Se la tensione di gate-source supera il valore di soglia, il transistor è accesso e, in tal caso, a causa della connessione gate-drain, funziona in saturazione, perchè la condizione V(D) > V(G)-V(TH) è verificata.
Fissati i valori della tensione di alimentazione e della corrente di drain, è sufficiente dimensionare il valore della resistenza R(A) per ottenere il desiderato valore di corrente. Sapendo che la corrente di drain di un MOSFET in saturazione ha espressione 
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Poichè nel circuito i due MOSFET hanno la stessa tensione gate-source, il che comporta che i due transistor anche la stessa corrente di drain, a patto che anche il transistor di destra sia in saturazione. In questo caso le due correnti di drain sono determinate, in prima approssimazione, solo dalle rispettive tensionigate-source che sono uguali per i due transistor.
La corrente nel circuito esterno può essere generata agendo su un ramo indipendente e senza fare necessariamente uso di un'alimentazione duale.
Si osservi che occorre che entrambi i MOSFET funzionino in zona di saturazione.
L'intervallo di valori compreso fra la tensione drain-source minima per far lavorare il MOSFET in saturazione e quella massima consentita dall'alimentazione definisce la compliace dello specchio.
Si definisce il Guadagno di corrente come il rapporto tra la corrente di uscita dello specchio e la corrente di riferimento.