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PRINCIPALES INTERRUPTORES DE ESTADO SOLIDO - Coggle Diagram
PRINCIPALES INTERRUPTORES DE ESTADO SOLIDO
DIODO DE POTENCIA
CARACTERISTICAS GENERALES
CURVA CARACTERISTICA
ESTRUCTURA INTERNA
PRINCIPIO DE OPERACION
DIODO NON PUNCH THROUGH
DIODO PUNCH THROUGH
CARACT DE CONMUTACION
COMPORTAMIENTO DE ENCENDIDO
COMPORTAMIENTO DE APAGADO
TIPOS DE DIODOS
RESUMEN
dispositivo de conmutaciom natural, no podemos decidir cuando se aciva o desactiva, simplemente el mismo dispositivo lo decide en base a las condiciones electrica que presenta dependiendo del sistema al cual esta conectado.
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT)
CARACTERISTICAS GENERALES
Primer dispositivos semiconductor que puede controlar tanto su encendido como apagado.
Dispositivo controlado por corriente de tres terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C).
En la actualidad no es muy utilizado en aplicaciones de electrónica industrial.
Se compone de tres materiales extrínsecos: NPN Y PNP
PRINCIPIO DE OPERACION
ESTRUCTURA FÍSICA
La zona P es físicamente más estrecha y presenta un dopaje pequeño.
El emisor presenta un dopaje mayor que el colector.
Conexión de dos diodos en oposición: diodo emisor y diodo colector.
ACTIVACION
Se le debe suministrar una corriente de base (IB) continuamente
Polarización en directa del diodo emisor
Exceso de electrones en la zona P.
DESACTIVACION
En la práctica se suele aplicar una pequeña corriente de base negativa para su desactivación.
VENTAJAS/DESVENTAJAS
RESUMEN
Si bien no se utiliza mucho en la práctica, en potencia, tine la ventaja de que puede activarse y desactivarse de manera forzada,
RECITIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) - TIRISTOR
TIRISTOR DESACTIVADO POR COMPUERTA (GTO)
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOS (MOSFET)
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)