Memória Secundária

MAPA MENTAL 4
DISCIPLINA: AOC 2023/1
ALUNO: Eduardo Pitanga Loureiro

Memória Flash

Princípios

tecnologia de apagamento
elétrico

é possível apagar apenas
blocos de memória

usa apenas um transistor por bit

tem alta densidade

Tipos

NOR: Mais antigos e fora de uso

NAND: Mais baratas e mais rápidas

tem um tempo de
acesso muito rápido

MLC (Mult-Level Cell) -
mais de um bit por celula

empilhamento vertical de células

TLC ou QLC

Usam células com mais bits

Mais baratas

SLC e MLC

Mais caras
e resistentes

1b

3b

4b

2b

Cartões de Memória Flash

SD , miniSD e microSD

velocidades de leitura/escrita
são relativas ao acesso sequencial

Barramento: UHS
e SD Express.

Classe de velocidade: Speed Class,
UHS Speed Class e Video Speed Class

Pendrives

Pequenos

Rápidos

Alta capacidade

SSD

múltiplos canais de acesso

Alto desempenho em
operações de E/S por segundo

Alta Durabilidade

Alta Longevidade

Baixo consumo elétrico

Frios e silenciosos

Tempos de acesso
e latência baixos

Taxas de transferência
muito altas

Maior custo por MB

Possui limite de ciclos de escrita

Memória óptica

Uso de laser p/ leitura/escrita

disco

CD, DVD e Blu-ray

São mídias robustas

barato

Bom em leitura sequencial

Feixe de luz:
Bluray < DVD < CD

Fita Magnética

LTO

Velocidade ok, em serie

barato

Muito usada em backup

Boa durabilidade