Memória Secundária
MAPA MENTAL 4
DISCIPLINA: AOC 2023/1
ALUNO: Eduardo Pitanga Loureiro
Memória Flash
Princípios
tecnologia de apagamento
elétrico
é possível apagar apenas
blocos de memória
usa apenas um transistor por bit
tem alta densidade
Tipos
NOR: Mais antigos e fora de uso
NAND: Mais baratas e mais rápidas
tem um tempo de
acesso muito rápido
MLC (Mult-Level Cell) -
mais de um bit por celula
empilhamento vertical de células
TLC ou QLC
Usam células com mais bits
Mais baratas
SLC e MLC
Mais caras
e resistentes
1b
3b
4b
2b
Cartões de Memória Flash
SD , miniSD e microSD
velocidades de leitura/escrita
são relativas ao acesso sequencial
Barramento: UHS
e SD Express.
Classe de velocidade: Speed Class,
UHS Speed Class e Video Speed Class
Pendrives
Pequenos
Rápidos
Alta capacidade
SSD
múltiplos canais de acesso
Alto desempenho em
operações de E/S por segundo
Alta Durabilidade
Alta Longevidade
Baixo consumo elétrico
Frios e silenciosos
Tempos de acesso
e latência baixos
Taxas de transferência
muito altas
Maior custo por MB
Possui limite de ciclos de escrita
Memória óptica
Uso de laser p/ leitura/escrita
disco
CD, DVD e Blu-ray
São mídias robustas
barato
Bom em leitura sequencial
Feixe de luz:
Bluray < DVD < CD
Fita Magnética
LTO
Velocidade ok, em serie
barato
Muito usada em backup
Boa durabilidade