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Memória Principal - Coggle Diagram
Memória Principal
RAM
Random Access Memory
Nome incorreto, pois toda memória
de semicondutor tem acesso aleatório
Leitura/escrita
Volátil
Estática (
SRAM
)
Bits armazenados como
chaves ligado/desligado
(flip-flop)
Não precisa de refresh
Construção mais complexa
Maior por bit
Menor capacidade em espaço físico
Mais
cara e rápida
Usada como memória cache
Operação da SRAM
Arranjo de transistores gera estado
lógico estável
Estados
O arranjo das chaves define se é 0 ou 1
Linha de endereço abre chaves para linha de Bit escrever/ler
Dinâmica (
DRAM
)
Bits armazenados com carga em
capacitores
Precisa renovar energia
refresh
Pode armazenar qualquer valor de carga dentro de um intervalo
valor limite
determina se a carga é 1 ou 0
Construção mais simples
Mais
barata e lenta
Usada como memória principal
Menor por bit.
Maior capacidade em espaço físico
Operação da DRAM
Escrita
Linha de bit transfere carga ao capacitor
Alta para 1 baixa para 0
Linha de endereço seleciona celula
Leitura
Linha de endereço seleciona celula
Linha de bit transfere carga ao amplificador
Amplificador compara com valor de referência para determinar 0 ou 1
Carga do capacitor deve ser restaurada
Read Only Memory (
ROM
)
Não volátil
Usada principalmente em microcontroladores
Gravada durante a fabricação
Programmable ROM (
PROM
)
Precisa de equipamento especial para programar
Erasable Programmable ROM (
EPROM
)
Apagada por luz ultravioleta
Electrically Erasable Programmable ROM (
EEPROM
)
Leva muito mais tempo para escrever que para ler
Memória flash
Apaga memória inteira eletricamente.
Memória intercalada
Coleção de chips de DRAM
Agrupada em banco de memória
K bancos podem atender a k solicitações simultaneamente
Exemplo comercial
Dual-Channel
DRAM síncrona(
SDRAM
)
acesso síncrono
DRAM move dados para dentro e
para fora sob o controle do clock do sistema
Uma nova versão da SDRAM
Double-DataRate SDRAM (
DDR-SDRAM
)
DDR alcança taxas mais altas de dados
transferência de dados é sincronizada tanto na borda de subida como na de descida do clock
DDR usa frequência de clock mais alta no barramento para aumentar a taxa de transferência
esquema de buffering é usado
Organização
Elemento principal
célula de memória
Princípios básicos
Dois estados
1
0
Podem ser escritas (ao menos uma vez)
para definir o estado
Podem ser lidas
para verificar o estado
É a memória “de trabalho” do computador
Onde os programas e dados são armazenados enquanto são processados
A RAM é feita com
semicondutores
Antigamente a MP tinha uma matriz de loops ferromagnéticos em forma de anel