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Memória Principal, DDR2-SDRAM, MAPA MENTAL 4 DISCIPLINA: AOC 2023/1 …
Memória Principal
Memória principal
semicondutora
Organização
Elemento principal: célula de memória
Princípios básicos
Dois estados: 1 e 0
Podem ser escritas
Podem ser lidas
DRAM e SRAM
RAM
Leitura/escrita
Volátil
Armazenamento temporário
Estática ou dinâmica
DRAM
Bits armazenados com
carga em capacitores
Construção mais simples
As cargas vazam
Menor por bit
Mais barata
Mais lenta
Memória principal
Basicamente analógico
SRAM
Bits armazenados como flip-flops
Não há vazamento de carga
Construção mais complexa
Maior por bit
Mais cara
Mais rápida
Memória cache
ROM
Princípios
Não volátil
Usada em
microcontroladores
Gravada durante
a fabricação
Muito cara para
pequenas quantidades
PROM
Programavel (1x)
EPROM
Apagada por UV
EEPROM
Apagada por eletricidade
Memória flash
Apaga memória
inteira eletricamente
Memória Intercalada
Coleção de
chips de DRAM
Agrupada em
banco de memória
Atende a solicitações
de leitura/escrita
n-Channel
Evolução da Memória
Principal Semicondutora
DDR-SDRAM
Princípios
Uma das formas mais utilizadas
de DRAM é a SDRAM
Há transferencia de dados
na :arrow_up: e :arrow_down: do clock
É usado buffering
Usa frequência de clock
mais alta no barramento
A primeira DDR
Células operando de
100 a 200MHz
2 bits simultaneamente
Barramento interno
de 100 a 200 MHz
DDR3-SDRAM
Células operando de
100 a 266 MHz.
Barramento interno
de 400 a 1066 MHz.
8 bits simultaneamente
DDR4-SDRAM
Células de 200 a 400 MHz
Barramento interno
de 800 a 1600 MHz
Dividiu-se a pré busca em
2 bancos diferentes de 8 bits
DDR5-SDRAM
16 bits simultaneamente
Células operando de
200 a 450 MHz
Barramento interno
de 1600 MHz a 3600 MHz
DDR2-SDRAM
Células operando de
100 a 266 MHz
4 bits simultaneamente
Barramento interno de
200 a 533 MHz
MAPA MENTAL 4
DISCIPLINA: AOC 2023/1
ALUNO: Eduardo Pitanga Loureiro