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Memória Principal - Coggle Diagram
Memória Principal
DDR-SDRAM
DDR3-SDRAM
Barramento interno operando de 400 a 1066 MHz
Buffer de pré-busca: 8 bits simultaneamente
Células operando de 100 a 266 MHz
Dupla transferência por ciclo
DDR2-SDRAM
Barramento interno operando de 200 a 533 MHz
Células operando de 100 a 266 MHz
Buffer de pré-busca: 4 bits simultaneamente
Dupla transferência por ciclo
Primeira DDR
Buffer de pré-busca: 2 bits simultaneamente
Barramento interno operando de 100 a 200 MHz
Dupla transferência por ciclo
Células operando de 100 a 200 MHz
DDR4-SDRAM
Células de 200 a 400 MHz
Dividir a pré-busca em 2 bancos diferentes
Barramento interno operando de 800 a 1600 MHz
DDR5-SDRAM
Todos os módulos tem ECC
Agora, porém, temos dois canais de 32 bits independentes
Próprio módulo que regula a tensão dos chips
Buffer de pré-busca de 16-bit
Memória principal semicondutora
DRAM e SRAM
RAM Dinâmica
Menor por bit
Mais barata
Construção mais simples
Mais lenta
RAM Estática
Maior por bit
Mais cara
Construção mais complexa
Mais rápida
RAM
Estática ou dinâmica
Volátil
Armazenamento temporário
Leitura/escrita
ROM
Muito cara para pequenas quantidades
Gravada durante a fabricação
Memória flash
Apaga memória inteira eletricamente
Usada principalmente em microcontroladores
Electrically Erasable Programmable ROM
Leva muito mais tempo para escrever que para ler
Armazenamento permanente
Erasable Programmable ROM
Apagada por UV