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Memória Principal - Coggle Diagram
Memória Principal
Evolução da Memória
Memórias DRAM evoluíram até chegar aos módulos DIMM DDR4 e DDR5 atuais
DRAM síncrona
DRAM move dados para dentro e
para fora sob o controle do clock do sistema
Double-DataRate SDRAM (DDR-SDRAM)
Proporciona características que
aumentam a taxa de dados
a transferência de dados é sincronizada na borda de subida e descida do clock
A DDR usa frequência de clock mais alta no barramento para aumentar a taxa de transferência
Um esquema de buffering é usado
A primeira DDR
Células operando de 100 a 200 MHz.
Barramento interno operando de 100 a 200 MHz
Buffer de pré-busca: 2 bits simultaneamente
Dupla transferência por ciclo (borda de subida e de descida do clock)
DDR2-SDRAM
Células operando de 100 a 266 MHz
Barramento interno operando de 200 a 533 MHz
Buffer de pré-busca: 4 bits simultaneamente
Dupla transferência por ciclo (borda de subida e de descida do clock)
DDR3-SDRAM
Células operando de 100 a 266 MHz
Barramento interno operando de 400 a 1066 MHz
Buffer de pré-busca: 8 bits simultaneamente
Dupla transferência por ciclo (borda de subida e de descida do clock)
DDR4-SDRAM
O buffer de pré-busca não
mudou de 8 para 16 bits
Optou-se por dividir a pré-busca em 2 bancos diferentes
Células de 200 a 400 MHz
Barramento interno operando de 800 a 1600 MHz
DDR5-SDRAM
Circuito integrado de gerenciamento elétrico (on-board)
Todos os módulos tem ECC (Error Correction Code) por padrão
erros são detectados e corrigidos antes de serem enviados a CPU
Buffer de pré-busca de 16-bit
Cada módulo agora tem dois canais independentes
O barramento de dados continua com 64 bits de paralelismo
Temos dois canais de 32 bits independentes, o que melhora a eficiência
Células operando de 200 a 450 MHz
Barramento interno opera de 1600 MHz a 3600 MHz
Memória intercalada
Coleção de chips de DRAM
Agrupada em banco de memória
Bancos atendem a solicitações de leitura ou escrita independentemente
K bancos podem atender a k solicitações simultaneamente
Exemplo comercial: Dual-Channel (2 canais)
Memória “de trabalho” do computador
Onde os programas e dados são armazenados enquanto são processados
Feita com semicondutores
Silício
Elemento principal: célula de memória
Princípios básicos
Dois estados: 1 e 0
Podem ser escritas, para definir o estado
Podem ser lidas, para verificar o estado
ROM
Read only memory
Não volátil
.Usada principalmente em microcontroladores
Gravada durante a fabricação
Muito cara para pequenas quantidades
Armazenamento permanente
Programável (uma vez)
Programmable ROM (PROM)
Precisa de equipamento especial para programar
Principalmente de leitura
Electrically Erasable Programmable ROM
Leva muito mais tempo para escrever que para ler
Memória flash
Apaga memória inteira eletricamente
Erasable Programmable ROM (EPROM)
Apagada por UV
RAM
Random Acess Memory
Volátil
Armazenamento temporário
Estática ou dinâmica
Leitura/escrita
DRAM e SRAM
RAM Dinâmica
As cargas vazam. Precisa de refresh
Construção mais simples
Menor por bit, mais barata e mais lenta
Dispositivo basicamente analógico
Usada como memória principal
Bits armazenados com carga em capacitores
RAM Estática
Bits armazenados como chaves ligado/desligado
Inerentemente digital
Não há vazamento de carga
Não precisa de refresh
Construção mais complexa
Maior por bit, mais cara e mais rápida
Usada como memória cache