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MEMORIA PRINCIPAL (MEMÓRIA RAM) - Coggle Diagram
MEMORIA PRINCIPAL (MEMÓRIA RAM)
MEMÓRIA DE "TRABALHO" DO COMPUTADOR
PROGRAMAS E DADOS SÃO ARMAZENADOS ENQUANTO SÃO PROCESSADOS
IMPOSSÍVEL EXECUTAR UM PROGRAMA "DIRETO DO HD/SSD"
FEITA COM SEMICONDUTORES (SÍLICIO)
ORGANIZAÇÃO
ELEMENTO PRINCIPAL: CÉLULA DE MEMÓRIA
PRINCÍPIOS BÁSICOS
PODEM SER ESCRITAS PRA DEFINIR O ESTADO
PODEM SER LIDAS, PARA VERIFICAR O ESTADO
DOIS ESTADOS: 1 E 0
DRAM E SRAM
RAM
VÓLATIL
ARAMAZENAMENTO TEMPORÁRIO
LEITURA/ESCRITA
DINÂMICA
VAZAMENTO DE CARGA (REFRESH)
CONSTRUÇÃO SIMPLES
MAIS BARATA / MAIS LENTA
USADA COMO MEMÓRIA PRINCIPAL
ESTÁTICA
USADA COMO MEMÓRIA CACHE
MAIS CARA
CONSTRUÇÃO MAIS COMPLEXO
MAIS RÁPIDA
AMBAS VOLÁTEIS
DRAM: CÉLULA DINÂMICA
SRAM: CÉLUILA ESTÁTICA
ROM
EPROM
APAGADA POR UV
EEPROM
LEVA MUITO MAIS TEMPO DE ESCRITA QUE LEITURA
PROM
PROGRAMÁVEL (UMA VEZ)
MEMÓRIA FLASH
APAGA MEMÓRIA INTEIRA ELETRICAMENTE
MEMÓRIA INTERCALADA
COLEÇÃO DE CHIPS DE DRAM
AGRUADA EM BANCO DE MEMÓRIA
LEITURA/ESCRITA
DDR2-SDRAM
CÉLULAS: 100 A 266 MHz
BARRAMENTO: 200 A 533 MHz
BUFFER: 4 BITS
DDR3-SDRAM
CÉLULAS: 100 A 266 MHz
BARRAMENTO: 400 A 1066 MHz
BUFFER: 8 BITS
DDR-SDRAM
CÉLULAS: 100 A 200 MHz
BUFFER: 2 BITS
BARRAMENTO: 100 A 200 MHz
DDR4-DRAM
CÉLULAS:200 A 400 MHz
BARRAMENTO: 800 A 1600 MHz
BUFFER FOI DIVIDIDA EM 2 BANCOS
DDR5-SRAM
CÉLULAS:200 A 450 MHz
BARRAMENTO:1600 A 3600 MHz
BUFFER: 16 BITS
CIRCUITO INETGRADO ON-BOARD
OS MÓDULOS TEM ECC