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精密工学(岩瀬教授), 金属材料 - Coggle Diagram

- - - - レジスト(紫外線感光樹脂)
        
        紫外線露光
        
        エッチング
        
        リリース
        
        レジスト除去
        
        現像
        
        ガラスマスク
      - リソグラフィー(レジストをつけること)
        
        近接露光
        
        ガラスマスクを使う
        
        直接描画(レーザ、電子線)
        
        光源
        
        紫外線、電子線
        
        可視光のレンジ
        
        450~600nm
        
        シャボン玉の厚さ
        
        赤外線のレンジ
        
        1μm
        
        紫外線のレンジ
        
        ~450nm
        
        深紫外
        
        1 more item...
        
        極端紫外
        
        1 more item...
        
        X線
        
        1 more item...
        
        電子線のレンジ
        
        1nm
  - - - 1m^3中に粒径0.1μmがいくつ以下
        
        クラス6が一般的。クラス7が簡易版
  - - - 1ft^3中に粒径0.5μm以下
  - - - 自立反転することに注意
- - - - リムーブ
      - レジスト層などを除去する
  - - - 酸性、アルカリ性、有機
        
        　低コスト、簡易
        
        大気圧。ビーカー内
        
        等方性
    - - ガス、イオン
        
        精密
        
        真空容器内
        
        異方性
    - - リフトオフ
        
        任意の材料で可能
        
        大気圧、ビーカー内
  - - - Si
        
        SiO2
        
        Au
        
        Al
    - - SiO2
        
        レジスト
        
        レジスト
        
        レジスト
    - - KOH
        
        HF, HF+NH4F
        
        KI+I2
        
        HsPO4+HNO3+CH3COOH+H2O
    - - Ca注射
    - - 構造層
        
        Si
        
        SiO2
        
        Al
      - ガス
        
        SF6, SF6+C4H8
        
        CHF3+O2
        
        Cl2
      - マスク層
        
        レジスト、SiO2、金属
        
        レジスト、金属
        
        レジスト
- - - - 物理的
      - 真空蒸着
        
        蒸発→基盤表面へ
        
        基盤：タングステン、モリブデン、タンタル(W、Mo、Ta)
        
        蒸着源をセット
        
        真空排気(10^-2~10^-7 Pa)
        
        加熱
        
        膜厚計で調べる
      - スパッタリング
        
        アルゴン陽子を金属にぶつける
        
        金属の構成要素を叩き出し、成膜する
    - - 化学的
        
        シリコン、ガラス、窒化シリコン
        
        熱、プラズマの二種類
        
        熱酸化
        
        SiO2
        
        ドライ酸化
        
        Si(s)+O2→SiO2
        
        ウェット酸化
        
        Si+H2O→SiO2+2H2
    - - PVD 2.CVD
      - 成膜条件
        
        真空　2. 高温
      - 利点
        
        基盤や成膜材料の制約がない　2. 付き周り性が良い&多くの基盤を一度に成膜できる
  - - - 電解メッキ
      - 10μm
    - - 有機材料(樹脂)
        
        2000~4000rpm