Please enable JavaScript.

Coggle requires JavaScript to display documents.

Pametovy System - Coggle Diagram

- - - - magnetické vlastnosti, směr magnetizace
    - - Optické vlastnosti, příp. odraz světla
    - - kombinace obou
    - - klopné obvody
      - kondenzátory
  - - - musí se obnovovat (kondenzátory)
    - - po zapsání zůstane zachována
- - - - ROM
        
        informace přepálená výrobcem
        
        přepálené buňky nevedou napětí a jsou nositeli logické 1
        
        nepřepálené napětí vedou a jsou nositeli 0
      - EPROM
        
        programovatelná ROM
        
        jednou je možné ji naprogramovat pomocí programátoru ROM
        
        paměť je možné uložit jrn jednou
      - EPROM
        
        obsah je smazatelný ultrafialovým zářením
        
        před novým zápisem je nutné paměť samazat
      - EEPROM
        
        paměť mazatelná elektrickými impulsy
        
        stejně jako u EPROM je nutné ji před novým zápisem kompletně smazat
        
        pomalá pro čtení i zápis
  - - - realizována klopnými obvody
      - registry
      - závislá na napjení
      - nejrychlejší paměť, nejblíže procesoru
      - přístupová doba cca 10 pikosekund
    - - realizována kondenzátory
      - DDR
        
        stejná frekvence, jako zákl. deska
        
        informace ukládána na náběžné i sestupné hraně
        
        takt paměti i I/O sběrnice 100 MHz
        
        propustnost 1,6 GB/s
      - musí se periodicky obnovovat
      - doba cyklu 10 ns
      - DDR2
        
        dvojnásobná frekvence, jak základní deska
        
        takt paměti 100MHz, takt I/O sběrnice 200 MHz
        
        propustnost 3,2 GB/s
      - DDR3
        
        dvojnásobná frekvence I/O sběrnice oproti DDR2
        
        takt paměti 100 MHz, takt I/O sběrnice 400 MHz
        
        Propustnost 6,4 GB/s