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Transistor Bipolar de Unión BJT - Coggle Diagram
Transistor Bipolar de Unión
BJT
Introducción, estructura física y análisis cualitativo
Características generales
Dispositivo de tres terminales
Emisor (n+/p+)
Colector (n/p)
Base (p/n)
Dos tipos
BJT npn
BJT pnp
Dispositivo no simétrico
E más dopado que C
Base muy estrecha
Se puede considerar una unión pn muy cercana
Comportamiento en función de
2 tensiones
2 corrientes independientes
Zonas de operación
Corte
V_BE<0, V_BC<0
No fluye corriente significativa por ninguno de los terminales
Activa inversa
V_BE<0, V_BC>0
El transistor actúa como un amplificador de intensidad de peor calidad
Saturación
V_BE>0, V_BC>0
La ganancia en intensidad decae sustancialmente y la tensión entre C y E permanece relativamente pequeña
Activa directa
V_BE>0, V_BC<0
El transistor actúa como un amplificador de intensidad de muy buena calidad
Fabricación
Partimos de un sustrato tipo p. Sobre él, se crea una capa enterrada de tipo n+. Por crecimiento epltaxial, se pone una capa n. Sobre esta capa epitaxial, se terminan de formar los pozos y los contactos.
Comportamiento estático
Concentraciones de los portadores minoritarios
Modelo de Ebers-Moll
Sirve para describir kas corrientes en función de los voltajes
Considera el efecto de acoplo entre uniones
La base siempre es corta y tanto el emisor como el colector pueden ser largos o cortos
Comportamiento estático de segundo orden
Comportamiento dinámico
Punto de Operación y Comportamiento en Pequeña Señal
Amplificadores
Circuitos equivalentes y modelos simplificados
