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Memorias - Coggle Diagram
Memorias
SRAM
Static Random Access Memory (SRAM) O Memoria Estática de Acceso Aleatorio
Memoria basada en semiconductores
Características
Capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan)
Pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
Las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden
Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable.
Tendrá dos estados, utilizados para almacenar un 0 o un 1
Puede utilizar dos, ocho diez o mas transistores
las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha señal, mientras que la estructura simétrica permite detectar pequeñas variaciones de voltaje con mayor precisión
más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo)
El módulo de memoria SRAM funciona con un voltaje de 5 V
cuenta con una fila de terminales frontales (total 80)
una muesca ubicada entre los conectores 40 y 41, la cual acopla exclusivamente en la ranura cache module de la motherboard.
DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Tipo de memoria electrónica de acceso aleatorio
usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema
Características
Se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto periodo de tiempo, en un ciclo de refresco
Posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta
cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información.
Tiene una capacidad de retención de datos muy corta en tiempo
La cantidad de memoria no afecta la velocidad de procesamiento, sino la de acceso a los datos, siempre y cuando se encuentren cargados en ella.
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales.
consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador
El principio de funcionamiento básico es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0.
Las celdas en cualquier sistema de memoria se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas.
Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades
Multipuerto
Una memoria multipuerto (puerto dual)
Tiene múltiples conexiones de direcciones y datos
pudiendo realizar múltiples accesos independientes en paralelo
no tienen la restricción del ordenamiento de los datos
El empleo de memorias rápidas y multipuerto interna en el chip, obliga a realizar transferencias continuas entre memoria externa (mayor capacidad) y memoria interna (mayor rendimiento).
se puede acceder simultáneamente desde dos sistemas diferentes
Está constituida por un único array de celdas de memoria
TIPOS DE MEMORIAS DE MULTIPLEPUERTO
• ASÍNCRONAS
Acceso aleatorio, sin señal de reloj de sin-cronismo, controlado por (CE, OE, R/W, xB).
• ASÍNCRONAS
Posibilita los accesos en modo ráfaga “burst”, sincronizados por una señal de reloj externo, captura de direcciones y autoincremento de direcciones.
Concepto de memorias de doble puerto
• RAM que puede ser accedida simultáneamente por más de un sistema
• Disponibilidad de conjuntos de buses de control, direcciones y datos
• Compuesta por celdas con dos accesos reales a la celda