Please enable JavaScript.

Coggle requires JavaScript to display documents.

MEMORIA INFORMATICA - Coggle Diagram

- - - - DDR3
        
        los módulos de memoria operaban a 1.5 V y 1.65 V, con velocidades base de 1066 MHz y la densidad llegó hasta a 8 GB por módulo.
      - DDR4
        
        Se reduce el voltaje hasta 1.05 y 1.2 V, aunque muchos módulos operan a 1.35 V. La velocidad se incrementó y cada vez lanzan memorias más rápidas, pero su base comenzó en los 2133 MHz.
      - DDR2
        
        funcionaba a un voltaje de 1.8 voltios. Se dobló su densidad máxima hasta los 256 MB (2 GB por módulo). La velocidad máxima también se multiplicó, llegando a 533 MHz.
      - DDR5
        
        Se redujo el voltaje, hasta 1.2 V. Su capacidad de almacenamiento máxima en un módulo de memoria es de 128 GB
      - DDR
        
        Operaba a 2.5 V y 2.6 V y su densidad máxima era de 128 MB con una velocidad de 100-200 MHz.
- - - - EPROM
        
        Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil. Está formada por celdas de FAMOS. Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
      - EEPROM
        
        Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente.
        Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante, su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
      - PROM
        
        Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible.
        La memoria puede ser programada una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM.