Esta memoria, como su denominación lo señala puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente sin que sea necesario la exposición a los rayos ultravioleta, por ejemplo como en las EPROM, lo que implica que resulten no volátiles. A la vez de poseer las flotantes, como las previamente mencionadas, dispone de una capa de óxido localizado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que facilita que la memoria logre borrarse eléctricamente.
