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場效應電晶體 指導老師：黃芳瑩 二甲32鍾裕森 - Coggle Diagram
場效應電晶體
指導老師：黃芳瑩
二甲32鍾裕森
差別
FET
電壓控制
單載子元件
BJT
電流控制
雙載子元件
結構
P通道型
N通道型
特性
優點
FET比BJT更易製造
FET較不受輻射影響
FET輸入阻抗高
FET在構造上為對稱得關係
缺點
FET的增益頻寬乘機太小
FET的內部電容較大
簡稱：FET
構造可分為
金屬氧化物半導體場效電晶體
接面場效電晶體
