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場效應電晶 - Coggle Diagram
場效應電晶
場效應電晶體的類型
FREDFET
是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET。
HEMT
是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
DGMOFET
是一種有兩個閘極的MOSFET。
IGBT
是一種用於電力控制的元件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。它們一般用於漏源電壓範圍在200-3000伏的運行。
DEPFET
是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器。
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。
大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。
有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
原理
所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個端。
分別大致對應雙極性電晶體的基極（base）、集極（collector）和射極（emitter）。
這些端的名稱和它們的功能有關。
閘極可以被認為是控制一個物理柵的開關。
這個閘極可以通過製造或者消除源極和汲極之間的通道，從而允許或者阻礙電子流過。
如果受一個外加的電壓影響，電子流將從源極流向汲極。體很簡單的就是指閘極、汲極、源極所在的半導體的塊體。
通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連，根據類型不同而不同。
這個第四端可以將電晶體調變至運行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計一個積體電路的時候，它的存在就是重要的。
歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（結型場效應電晶體）。
1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
