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場效應電晶體 二甲30曾泯閤, image, image, image - Coggle Diagram
場效應電晶體
二甲30曾泯閤
類型
DEPFET
是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器
DGMOFET
是一種有兩個閘極的MOSFET
DNAFET
是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈
FREDFET
是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET
HEMT
是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
IGBT
是一種用於電力控制的元件
ISFET
是離子敏感的場效應電晶體,它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度（例如pH值）改變，通過電晶體的電流將相應的改變
JFET
用相反偏壓的p-n結去分開閘極和體
MESFET
用一個蕭特基勢壘替代了JFET的PN接面；它用於GaAs和其它的三五族半導體材料
MODFET
用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構
MOSFET
用一個絕緣體（通常是二氧化矽）於柵和體之間
NOMFET
是奈米粒子有機記憶場效應電晶體
OFET
是有機場效應電晶體，它在它的通道中用有機半導體
工作
閘極電壓對電流的影響
通過影響導電通道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者電洞流）。
通道是由（是否）加在閘極和源極的電壓而創造和影響的。導電通道是從源極到汲極的電子流。
空乏模式
在一個n通道空乏模式元件，一個負的閘源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度，自邊界侵占通道，使通道變窄
增強模式
在一個n通道增強模式元件中，一個正的柵源電壓是製造導電通道所必需的，因為它不可能在電晶體中自然的存在
汲極源極電壓對電流的影響
無論增強模式還是空乏模式元件，在漏源電壓遠小於柵源電壓時，改變閘極電壓將改變通道電阻，漏電流將和漏電壓（相對於源極的電壓）成正比
歷史
實用的元件一直到1952年才被製造出來
1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體
於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明
用途
IGBT在開關內燃機點燃管中有用
快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的
大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體
互補式金屬氧化物半導體過程技術是現代數位積體電路的基礎
MOSFET中柵和通道之間的脆弱絕緣層使得它在操作中容易受到靜電損壞
元件在合適的設計電路中安裝後則通常不成問題
原理
電極
汲極
drain
FET也有第四端
稱為體
body
電路設計中，很少讓體端發揮大的作用
源極
source
閘極
gate
組成
由各種半導體構成
矽是最常見
大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造
大部分的不常見體材料
多晶矽
非晶矽
