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場效應電晶(FET) 二甲14莊昕睿 指導老師：黃芳瑩老師 - Coggle Diagram
場效應電晶(FET)
二甲14莊昕睿
指導老師：黃芳瑩老師
極性
汲極（drain）
源極（source）
閘極（gate）
組成
非晶矽
多晶矽
大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道
分類
ISFET
是離子敏感的場效應電晶體，它用來測量溶液中的離子濃度
JFET
用相反偏壓的p-n結去分開閘極和體
IGBT
是一種用於電力控制的元件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似
HEMT
高電子移動率電晶體，也被稱為HFET。是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的
MESFET
用一個蕭特基勢壘替代了JFET的PN接面；它用於GaAs和其它的三五族半導體材料
FREDFET
是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET
MODFET
用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構
DNAFET
是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈
MOSFET
用一個絕緣體（通常是二氧化矽）於柵和體之間
DGMOFET
是一種有兩個閘極的MOSFET
NOMFET
是奈米粒子有機記憶場效應電晶體
DEPFET
是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET
OFET
是有機場效應電晶體，它在它的通道中用有機半導體
工作
空乏模式
一個負的閘源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度，自邊界侵占通道，使通道變窄
增強模式
一個正的柵源電壓是製造導電通道所必需的，正電壓吸引了導體中的自由移動的電子向閘極運動，形成了導電通道
歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（結型場效應電晶體）。1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
