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電子學-場效應電晶體
二甲16何承修, image, image - Coggle Diagram
電子學-場效應電晶體
二甲16何承修
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JFET和空乏型MOSFET
JFET之結構及原理
n通道接面場效電晶體由一個被一個p型摻雜（阻礙層）環繞的n型摻雜組成。在n型摻雜上連有汲極（也稱漏極，來自英語Drain，因此也稱D極）和源極（來自英語Source，因此也稱S極）。從源極到汲極的這段半導體被稱為n通道。p區連有閘極（也稱柵極，來自英語Gate，因此也成為G極）。
假如柵極沒有被連上的話n通道就像一個電阻一樣。也就是說在柵極沒有電壓的情況下接面場效電晶體是導電的。這個電壓被稱為夾斷電壓Up。即使UDS繼續升高，漏電流ID幾乎不變。夾斷不再提高，而只是橫向擴大，也就是說電壓的繼續提高被通道吸收了。一般來說這是接面場效電晶體的工作區域，這個時候的漏電流被標誌為IDSS。整個三極體在這個狀態下可以被當作一個恆電流源使用，其電流為IDSS。不過與真正的電流源相比接面場效電晶體的溫度靈敏度比較高。
空乏型MOSFET原理
金氧半場效電晶體在結構上以一個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心（現在的金氧半場效電晶體多半以多晶矽取代金屬作為其閘極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽，其下是作為基極的矽，而其上則是作為閘極的多晶矽。這樣的結構正好等於一個電容器，氧化層為電容器中介電質，而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介電係數來決定。閘極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端點。
操作原理
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反型
當VGB夠強時，接近閘極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導體中，電子濃度（帶負電荷）超過電洞（帶正電荷）濃度的區域，便是所謂的反轉層（inversion layer），如C-V曲線右側所示。
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特性和特性曲線
場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。 場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載子型作用對比雙極性電晶體。
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