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FET電晶體放大電路觀念統整 - Coggle Diagram
FET電晶體放大電路觀念統整
FET工作
空乏模式
在一個n通道"空乏模式"元件，一個負的閘源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度，自邊界侵占通道，使通道變窄
增強模式
在一個n通道"增強模式"元件中，一個正的柵源電壓是製造導電通道所必需的，因為它不可能在電晶體中自然的存在
閘極電壓對電流的影響
FET通過影響導電通道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者電洞流）
汲極源極電壓對電流的影響
無論是增強模式還是空乏模式元件，在漏源電壓遠小於柵源電壓時，改變閘極電壓將改變通道電阻，漏電流將和漏電壓（相對於源極的電壓）成正比
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體製造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者通道。
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
場效應電晶體的類型
摻雜FET（解釋如下）的通道用來製造N型半導體或P型半導體。在空乏模式的FET下，漏和源可能被摻雜成不同類型至通道。
介紹
場效電晶體（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。
它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。
用途
在FET中，當在線性模式下運行，電子能向各個方向流動通過通道。當元件是特別的（但並不是經常的）從源極到汲極的對稱製造，汲極和源極的名稱變化有時是隨機的。