Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
場效應電晶體 - Coggle Diagram
場效應電晶體
基本介紹
原名
Field-Effect Transistor（
簡記為FET
）
兩著比較
雙極性接面電晶體BJT
雙載子元件
:pencil2:
電流
控制
元件
場效應電晶體FET
單載子元件
:pencil2:
電壓
控制
元件
接角
閘極（G）
汲極（D）
源極（S）
優缺點
優點
3.體積小，極
適用於VLSI電路
（元件數：一萬～一百萬個）
4.
源極、汲極
可對調使用
2.
熱穩定性較好
5.不受輻射（光、熱）影響、穩定性佳、雜訊低
1.
輸入阻抗極高
（10*8歐姆以上），負載效應低
6.無
抵補電壓
缺點
1.
增益頻寬乘積
太小
2.高頻響應差，操作速率小於BJT
分類
接面場效應電晶體（J）FET
N通道
P通道
金屬氧化物半導體場效電晶體（MOS）FET
增強型（E）MOSFET
N通道
P通道
空乏型（D）MOSFET
N通道
P通道
分析
交流分析（小訊號分析）
元件轉換（直流變成交流）
電阻=不變
交流電源=不變
電容=短路
直流電源=短路接地
公式
空乏型
gm=IDSS/|Vp|(1-VGS/Vp)
增強型
gm=2k(VGS-VT)
直流分析
空乏型（DMOS）
ID=IDSS(1-VGS/VGS(off))*2
增強型（EMOS）
ID=K(VGS-VT)*2
