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場效應電晶體 - Coggle Diagram
場效應電晶體
原理
是一種通過電場效應控制電流的電子元件
場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載子型作用對比雙極性電晶體
它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性
電極
閘極（gate）
閘極可以通過製造或者消除源極和汲極之間的通道，從而允許或者阻礙電子流過、
汲極（drain）
源極（source）
場效應電晶體的類型
MESFET用一個蕭特基勢壘替代了JFET的PN接面；它用於GaAs和其它的三五族半導體材料。
MOSFET用一個絕緣體（通常是二氧化矽）於柵和體之間。
JFET用相反偏壓的p-n結去分開閘極和體
組成
大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
放大組態
CD、CG、CS
所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個端。這些端的名稱和它們的功能有關。閘極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個閘極可以通過製造或者消除源極和汲極之間的通道，從而允許或者阻礙電子流過。
場效應電晶體與雙及性接面電晶體的比較
與金屬氧化物半導體場效應電晶體相比，雙極性電晶體能提供較高的跨導和輸出電阻，並具有高速、耐久的特性，在功率控制方面能力突出。 因此，雙極性電晶體依舊是組成類比電路，尤其是甚高頻應用電路的重要配件。