Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
場效應電晶(FET) 二甲25洪郁凱 指導老師：黃芳瑩老師 - Coggle Diagram
場效應電晶(FET)
二甲25洪郁凱
指導老師：黃芳瑩老師
接腳
工作曲線
電廠效應
指通過施加外部電場來調製材料的電導率。在半導體中，可以響應外加場的較低密度的電子（可能還有空穴）足夠小，以至於場可以穿透到材料中很遠。這種場穿透會改變半導體表面附近的導電性，稱為場效應
場效電晶體
是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
分類
DNAFET
是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈。
HEMT
是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
IGBT
是一種用於電力控制的元件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。
ISFET
它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度改變，通過電晶體的電流將相應的改變。
MODFET
用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。
