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場效應電晶體 - Coggle Diagram
場效應電晶體
FET基本介紹
優點
輸入阻抗高
負載效應極低
製作上容易，體積小
S、D極可對調使用
穩定性佳 雜訊低
無抵補電壓
缺點
增益頻寬乘積太小
高頻響應差 操作速率小
分類
接面場效應電晶體JFET
金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET
金氧半場效應電晶體增強型
基本構造
無實質通道存在
構造簡單、體積小
工作特性
歐姆區(三極區)
飽和區(夾止區)
截止區
工作原理
加正電
N型通道形成
電壓稱為臨限電壓或臨界電壓
加負電
不沒有通道產生
無法導通電
直流偏壓分析
輸入迴路求VGS
將VGS帶入公式求ID
輸出迴路求VDS
金氧半場效應電晶體空乏型
.
基本構造
分為S、G、D極
又稱絕緣閘極場效電晶體
源極提供多數載子，汲極為流出的電極
工作原理
本身具有通道
增強模式
空乏模式
一種由改變電場藍來達到控制通道電流
工作特性
歐姆區(三極區)
飽和區(夾止區)
截止區