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場效應電晶體 - Coggle Diagram
場效應電晶體
應用
實現放大功能
快速開關
積體電路IC製作
內燃機
放大組態
CG
共閘極放大組態
CD
共汲極放大組態
CS
共源極放大組態
接腳
G
閘極
D
汲極
S
源極
特性
優點
容易縮小體積 用在VLSI
熱穩定性FET比較好
無抵補電壓(輸入0,輸出0)
輸入阻抗高
BJT=1kΩ FET可達10的8次方
特性
簡稱:FET
分類
金屬氧化物半導體
場效應電晶體
MOSFET
增強型
EMOSFET
P通道
N通道
空乏型
DMOSFET
P通道
N通道
接面場效應電晶體
JFET
P通道
N通道
小訊號分析
分貝增益
電壓分貝
AV (dB)=20log10 x VO /VI (dB)
電流分貝
AI (dB)=20log10 x IO/II (dB)
功率分貝
AP (dB)=10log10 x PO /PI=|AI x AV| (dB)
放大倍數
電流增益AI
輸入阻抗ZI
電壓增益AV
輸出阻抗ZO
轉移互導gm
結構
由源極、閘極、汲極
和一層絕緣層所組成
數位電路CMOS
特點
發熱量少
最常用的半導體元件
節省電力
直流分析
分析步驟
由公式求出Id
再由輸出迴路方程式求出VDS
求出VGS=VG–VS