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FET電晶體觀念 二甲22柯秉宇, 未命名簡報, image - Coggle Diagram
FET電晶體觀念
二甲22柯秉宇
構造
有三個對外端點（稱為極），(C)集極、(E)射極、(B)基極
電晶體原本是由鍺(Germania)所製成的。
鍺有著溫度到達約80°C左右時就會遭到破壞的缺點
因此，目前多以矽為主要原料。矽是一種耐熱溫度可達180°C左右的物質。
BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。
歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明但是實用的元件一直到1952年才被製造出來
1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET
歷史
電晶體（英語：transistor），早期音譯為穿細絲體
1925年，加拿大物理學家尤利烏斯·愛德利林費爾德申請場效應電晶體（FET）的專利
1926年，尤利烏斯·愛德利林費爾德也在美國申請專利，但當時還沒有製作高品質半導體的相關技術。
1934年，德國發明家奧斯卡海爾申請類似裝置的專利。
1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺電晶體。
功能與應用
是一種類似於閥門的固態半導體元件，可以用於
開關
電腦所使用的數位訊號
穩壓
放大
例如收音機
訊號調變
場效電晶體（FET）
是一種通過電場效應控制電流的電子元件。
