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場效應電晶體 二年甲班20林劭安 - Coggle Diagram
場效應電晶體
二年甲班20林劭安
分類
ISFET
是離子敏感的場效應電晶體,它用來測量溶液中的離子濃度。
JFET
用相反偏壓的p-n結去分開閘極和體。
IGBT
是一種用於電力控制的元件。它和類雙極主導電通道的MOSFET的結構類似。
MESFET
用一個蕭特基勢壘替代了JFET的PN接面；它用於GaAs和其它的三五族半導體材料。
HEMT
也被稱為HFET，是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中製造的。完全空乏寬帶隙造成了閘極和體之間的絕緣。
MODFET
用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。
FREDFET
是一種用於提供非常快的重啟（關閉）體二極體的特殊FET。
MOSFET
用一個絕緣體（通常是二氧化矽）於柵和體之間。
DNAFET
是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子製成的閘極去檢測相配的DNA鏈。
NOMFET
是奈米粒子有機記憶場效應電晶體。
DGMOFET
是一種有兩個閘極的MOSFET。
OFET
是有機場效應電晶體，它在它的通道中用有機半導體。
DEPFET
是一種在完全空乏基底上製造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器。
用途
MOSFET中柵和通道之間的脆弱絕緣層使得它在操作中容易受到靜電損壞。元件在合適的設計電路中安裝後則通常不成問題。
在FET中，當在線性模式下運行，電子能向各個方向流動通過通道。當元件是特別的，從源極到汲極的對稱製造，汲極和源極的名稱變化有時是隨機的。
大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。互補式金屬氧化物半導體過程技術是現代數位積體電路的基礎。這個過程技術排列了相連成串的p通道MOSFET和n通道MOSFET，使得當一個開，另一個則關。
IGBT在開關內燃機點燃管中有用。快速開關和電壓阻礙能力在內燃機中是非常重要的。
FET工作
空乏模式
在一個n通道"空乏模式"元件，一個負的閘源電壓將造成一個空乏區去拓展寬度，自邊界侵占通道，使通道變窄。
增強模式
在一個n通道"增強模式"元件中，一個正的柵源電壓是製造導電通道所必需的，因為它不可能在電晶體中自然的存在。
汲極（drain）
在圖中閘極的長度（length）L，是指源極和汲極的距離。寬度（width）是指電晶體的範圍，在圖中和橫截面垂直。
源極（source）
閘極（gate）