Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
Interconnect, ※barrier
→Cu 확산을 막아줘야한다
→접착이 좋아야한다
→passivation 역할, 캡처…
Interconnect
introduction
※중요해진 이유※
→트랜지스터의 크기가 줄면서, gate에 의한 지연속도는
감소했으나, 와이어에 대한 지연속도는 상대적으로 증가
wire가 speed, power, noise에 영향을 준다
-
RC delay
-
-
초기에는 R의 영향이 크고, 나중에는 C영향이 크다
-
-
Electromigration
-
-
effect
-
deposition of atoms(hillocks, whisker)
-
-
Cu interconnect
장점
-
-
-
metal layer수를 감소 시킬 수 있다
by 유전상수, electromigration 억제
-
EM point
Al Vs Cu
Al : grain boundary , suface
Cu: surface
deposition
PVD & CVD
-
CVD
(111)부터 증착X, 좋은 step coverage
electroplating
(111)우선 성장, 좋은 step coverage, void가 나타나지 않는다
-
Low K dielectrics
-
inter-layer dielectric
※조건
→k<3 & isotropic
→metal과 다른 dielectric간의 좋은 접착력
→stability
→낮은 열팽창, 열수축 , 높은 열적 안정성
-
-
-
<Bamboo structure>
<integration of low-k materials>
→hydrephobicity
→mechanical stability
→thermal stability
→chemical&physical stability
→compatibility with other materials
→reliability