Please enable JavaScript.
Coggle requires JavaScript to display documents.
Этапы развития технологии полупроводниковых приборов - Coggle Diagram
Этапы развития технологии полупроводниковых приборов
предпосылки к развитию, начало научных концепций и практических экспериментов
1939г. - теоретически подтверждено, что возможно создать транзисторную структуру
1940г. - получен первый кремниевый точечно-контактный диод.
1947г. - точечно-контактный транзистор (Bell), идея плоскостного транзистора и теория p-n перехода
1952г. - первые транзисторы из германия
1954г. - кремниевые солнечные батареи
1956г. - начало производства транзисторов с дифузионной базой
1957г. - возможность применения плёнки диоксида кремния
начало 60-х - разработка планарной технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных микросхем
1961-62гг. - биполярные полупроводниковые ИМС
этапы развития микроэлектроники
первый этап
степень интеграции: 10-100 элементов на кристалл
min детализация - 100мкм
создание первых интегральных микросхем на транзисторах
1964г.
второй этап
начало выпуска больших интегральных схем
степень интеграции возрастает до 1000 элементов на кристалл
1967г.
min детализация - 3мкм
третий этап
степень интеграции - больше 1000 элементов на кристалл
min детализация - 1мкм
конец 70-х
четвёртый этап
разработка БИС с более чем 10000 элементами на кристалл и СБИС с более чем 1000000 элементами на кристалл
min детализация - 0.1мкм
современный (Intel)
современное развитие микроэлектроники
новые быстродействующие транзисторы Intel
min толщина - 3 атомарных слоя
будет использоваться в процессорах, которые обгонят Pentium 4 на три поколения
тактовая частота - 20 ГГц
при изготовлении используется литографический процесс с EUV (вакуумное УФ излучение с очень малой длиной волны), основанный на т.н. химической гравировке
размер не превышает 0.02 микрона
Pentium 4
размер кристалла 17 х 17 мм
min детализация - 0.13 микрона