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Plasma, Deposition, excitation보다 낮은 E필요, P증가하면 particle이 많아져서,
MFP가 짧아진다,…
Plasma
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Debye
sheath
전자와 이온의 속도 차이로 인하여 전자가 챔버 벽에 붙어 쌓이면,
양성자 영역이 생겨서 potential 차이가 발생하는 영역이 생긴다.
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length
positive chage 덩어리를 중간에 놔두어서,
negative charge를 모이게 해서 중성으로 만들게 한다.
즉 중성이 되는 영역까지의 거리.
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Deposition
PVD
evaporation
thermal
처음에는 산화막이 있어서, 맨 처음 증발되는 원자들은
산화물일 확률이 높다
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sputtering
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bias sputtering
크게 가하지 않으며, 표면을 cleaning 하는 효과
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ALD
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advantage
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낮은 온도,낮은 stress but 막질이 안좋아져서 PDA공정 동반해서 사용하기도 한다.
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P증가하면 particle이 많아져서,
MFP가 짧아진다
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