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Deposition, 초기 기판 E 높이는 방법 →Ion bombardment →Ozone treatment →Plasma…

- - - - 생성된 표면이 더 안정하다
      - 증착이 잘 되게 하기 위해서,
        초기 기판의 표면 E를 높여 준다
  - - - 표면에 원자들이 어떠한 각도로 입사되는가
    - - 1인게 가장 좋다
- - - - 공급해주는 Cg를 알면 증착 속도를 알 수 있다
    - - 농도 항 보다는 pressure이 공정 상에서 편함
- - - - poor adhesion
      - 해결책: P을 낮추어서 MFP를 길어지게 하여
        gas phase cluster을 만드는 확률을 낮추어준다
  - - - vaccum pump가 필요 X
      - MFP가 작아서 homogeneous reaction이 발생
      - 균일한 필름 X
    - - MFP가 커서 homogeneous reaction 억제 가능
      - 균일한 필름
      - surface raaction limited(증착되는 메카니즘)
  - - - 외부에서 power 공급
      - by radiation
      - 온조 조절이 용이하나, 오염에 문제있음
    - - 오염 물질이 증착되지 않음
      - 기판 밑에서 power 공급
        
        균일한 가스 공급을 위해 기울여서 준다
  - - - 주로 SiH4
        
        위험한 가스
      - poly silicon
        
        높은 온도 가능하고 conductivity를 높일 수 있으나 금속보다는 아래
        
        성장 방법
        
        colummar grains
        
        처음부터 고온으로 증착
        
        fine grained
        
        낮은 T로 비정질 증착 후, 어닐링
    - - 주로 NH3 이용
    - - 굴곡이 있어도 잘되지만, 대신 F이 있다
    - - 두껍고 빠르게 만들 수 있다
    - - 증착 속도가 굉장히 빠르고, CMP(평탄화)작업 시에 도움이 된다
    - - B,P 첨가
        
        평탄화 작업시 도움이 된다
      - Si3N4 필요
        
        B,P때문에 베리어가 필요하나, Si3N4는 stress가 커서 buffer layer가 필요하다.
        
        high K물질로 EOT가 낮아지는 효과