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Dispositivos electrónicos de potencia - Coggle Diagram
Dispositivos electrónicos de potencia
BJT
Se utiliza para la conmutación alternando entre los estados de corte y saturación
Tiristores
Son dispositivos que soportan altas tensiones y corrientes
Funcionan como una llave controlada, en donde el electrodo de control es la Puerta G
3 terminales son:
A (Ánodo)
K (Cátodo)
G (Puerta)
Transistor de inducción estática
SIT
Es un dispositivo que puede manejar alta potencia y alta frecuencia
Tiene como desventaja que la caída de tensión en conducción es de valor limitado para las aplicaciones y es sensible en el proceso de fabricación
Diodos de potencia
Son dispositivos unidireccionales no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción
Se caracterizan porque son capaces de soportar una alta densidad en el estado de conducción
Diodos especiales
De recuperación rápida De alta velocidad
Tienen un tiempo de recuperación bajo
Schottky
Presentan una juntura metal-semiconductor
Transistores de potencia
Dispositivos semiconductores utilizados en aplicaciones de conmutación, en donde presentan una caída muy pequeña de tensión
MOSFET
Estos trabajan aplicando tensión entre la puerta G y la fuente S y el drenador D
Presentan alta velocidad de conmutación y pequeña corriente de entrada
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Este dispositivo combina las características del MOSFET y BJT
Se pueden conectar en paralelo y es más rápido que un BJT pero más lento que un MOSFET