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SiO2, 주로 열보다는 증착을 통해 이루어진다, Si, SiO2 비슷한 열팽창계수 가진다., native oxide는 HF로…

- - - - temperature & time
    - - HCl 역할
        →metal contamination 억제
  - - - quality는 좋지 않으나 빨리 증착
    - - qulity는 좋으나 느리게 증착
- - - - dangling bond
        
        hydrogen atom으로 cap
  - - - by pinholes
        
        oxide를 일정하게 증착한다고 해도
        중간에 defect이나 불순물이 있을 수 있다.
  - - - CCS
        
        전류 일정
      - CVS
        
        전압 일정
- - - - defect,불순물을 이용하여
        여러색의 보석을 만든다
- - - - 물리적 접촉
        
        ultra thin은 정확하지 않음
    - - non contact
    - - TEM , SEM
    - - nondestructive
      - unpatterned wafers
      - 입사각 동일하게 설정한다.
      - 초기 그래핀 연구에 도움
  - - - SiO2는 k=4
        →물리적두께=EOT