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Oxidation, CMOS FET, HCl →Cl이 metal 오염을 막아준다 →H가 wet oxidation 효과 …

- - - - stress가 많고 mask와 si의
        열팽창 계수가 다르다
      - interface로 SiO2사용
      - oxygen이 확산이 잘 안된다
    - - si 기판 일부가 손실
        →area가 줄고 density측면에서 불리
    - - oxidation 전에 silicon etch를 시켜준다
        
        근본적으로 bird's beck 피하기 힘듦
  - - - bird's beak 발생X
    - - aspect ratio가 커진다
      - etch시에 silicon fin이 서로 넘어지고
        붙는 현상 발생
      - loading effect
        
        etch할 면적에 따라서 etch ratio가
        달라진다.(cell과 cell사이)
      - trench width variation 발생
- - - - si내 도핑농도/sio2내 도핑농도
        
        보통 1이 넘으나 B 도핑시
        1보다 작을 수 있다
  - - - pure oxygen
      - 시간은 걸리지만, 좋은 quality
    - - vapor H2O
      - 빠르지만, quality가 떨어짐