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電子學-二極體, 二年甲班 資訊科 03 黃鈺茹 - Coggle Diagram
電子學-二極體
半導體
常見材料：矽
四個價電子
八隅體理論：價電子數為8個時，性質最安定
介於導體與絕緣體之間
分類
本質半導體-單一元素構成
雜質半導體
P型半導體-加入三價的雜質(ex:硼、鋁、鎵)-受體
N型半導體-加入五價的雜質(ex:磷、砷、銻)-施體
摻雜濃度-10八次方：1
電子電洞對
電子電洞
價電子脫離-自由電子
價電子脫離-留下空缺-電洞
產生與複合
電子電洞重新形成共價鏈-複合
受熱而產生新的電子電洞-產生
能帶
矽晶體能隙約為1.1eV鍺晶體能隙約為0.7eV
分類
PN接面二極體
空乏區-只有正負離子
順向偏壓
正極接於P型側負極接於N型側
中和空乏區內的正負電荷
空乏區的寬度會縮小
此時障壁電位也會降低
逆向偏壓
正極接於N型側 負極接於P型側
空乏區會增加
障壁電位也會增加
稽納二極體
工作在逆向偏壓之崩潰區內
累增崩潰
稽納崩潰
發光二極體
製造材料的不同
發出不同顏色的光
電流
包含
電洞流-實際上是價電子的移動
電子流-受到正電壓吸引往正極移動
電流傳導
擴散電流-濃度不均勻，擴散移動形成的電流
飄移電流-透過外加電壓的作用
二年甲班 資訊科 03 黃鈺茹
空乏區-只有正負離子