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RTP, Furnace의 경우 Thermal budget이 커서 diffustion까지 발생 →표면에 dopant양이 줄어들어 …
RTP
Advantage
Thermal budget 작다
RTP: activation
Fast heating & cooling
cold wall로 인한
contamination 억제
standby state가 존재하지 않아
전력 소비 절약
Various RTP process
RTA
implantation damage remove
shallow junctions
RTO
ultrathin oxidation
높은 T에서 형성된 막이
낮은 T에서 형성된 막보다 quality가 낮다
RTN
NO, N2O gas 사용
N2는 break 하는게 어려워서
사용 X
boron penetraion 저항
Silicide
Si는 metal과 여러가지
화합물을 잘 만든다
용해도 보다 높은것은
unreacted metal 형성
전도도가 높아
컨택 저항을 줄일 수 있다
RTP system
Susceptor furnace
electromagnetic energy를 heat로 전환
Bell jar furnace
vertical T gradient 이용
웨이퍼가 밖에 있다가 원하는 위치로
집어 넣어 열처리 진행
Incandescent lamp RTA
pin
핀 두께가 두꺼우면
열이 빠져나가서 얇게한다.
텅스텐
산화
산화 방지를 위해
Inert gas 추가
할로겐
기화된 텅스텐과 결합하여
diffusion으로 필라멘트에 다시
텅스텐 증착
웨이퍼 온도 측정
Thermocouples
contact area 문제
metal contamination 문제
열 저항 문제
Monitoring wafer
간접적으로 온도 측정
Optical pyrometer
열을 가지는 재료는 그에 맞는
wavelength를 내뿜는다
stray light 문제
실시간으로 측정
Furnace의 경우 Thermal budget이 커서 diffustion까지 발생
→표면에 dopant양이 줄어들어
표면저항 증가
issues
→uniformity
→throughput
→stress,thermal shock
→measurements
Boron
→크기가 작아 diffusion이 잘되서
밑에 insulator까지 들어간다