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SEMICONDUCTORES DE POTECIA - Coggle Diagram

- - - - Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido.
        
        Diodos rectificadores para baja frecuencia.
        
        Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast).
        
        Diodos Schotkky
        
        Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)
        
        Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)
    - - Familia de dispositivos semiconductores de silicio que tienen características de interruptor, presentando dos estados definidos de operación.
        
        • Tiristores de conmutación forzada
        
        • Tiristor conmutado por línea
        
        • Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
        
        • Tiristor de conducción inversa (RCT)
        
        • Tiristor de inducción estático (SITH)
        
        • Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)
        
        • Rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR)
        
        • Tiristores controlados por MOS (MCT)
      - Su construcción está basada en una estructura semiconductora de cuatro capas (PNPN) cuyo número de terminales pueden ser dos, tres o cuatros según el dispositivo.
    - - El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
    - - Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y electrodomésticos
    - - Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
      - Transistor de Inducción Estática (SIT). Componente electrónico de recién creación el cual es usado en diferentes aplicaciones, es de alta potencia y frecuencia. El mismo es muy similar a los JFET, excepto por su construcción vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta caída de tensión en sus terminales.