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离子注入 - Coggle Diagram

- - - - 每个杂质在硅中都有一定的扩散率，与温度成正比。杂质原子只有成为硅晶格结构中的一部分时才有助于形成半导体硅。
    - - 固溶度即一定温度下硅能够吸收杂质的数量。
    - - 杂质原子沿硅片表面迁移就发生了横向扩散。它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能
  - - - 推进
        
        激活
        
        温度稍微升高，杂质原子与晶格中的硅原子键合。激活杂质原子，改变硅的电导率。
        
        1000-1250℃的环境使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深。（高温情况下形成的氧化物会影响推进过程中杂质的扩散。）
      - 硅片被送入高温扩散炉。炉温800-1100℃（10-30min）。此过程杂质进入硅片中很薄的一层。硅表面需要生长一层氧化物（掩蔽层）防止杂质扩散出去。预淀积形成的杂质浓度用Fick定律预测。
- - - - 离子束电流测量不当
      - 不当退火
      - 错误的工艺流程
  - - - 检查是否有离子的沟道效应。硅片的倾斜可能不正确
      - 若注入的是硼，检查是否在退火过程中发生了TED
      - 证明RTA升温速度和保持时间正确。过多的高温过程导致杂质扩散，增加结深
  - - - 移动机械过程中外面包装过多
      - 温度过高或溅射造成光刻胶的脱落
      - 赃电极微放电